インダクタ(コイル)
SPM5030VC-R33M-D
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寸法
| 長さ(L) |
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| 幅(W) |
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| 厚み | 高さ |
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| 推奨ランドパターン(A) |
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| 推奨ランドパターン(B) |
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| 推奨ランドパターン(C) |
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電気的特性
| インダクタンス |
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| 定格電流(L変化による) [Typ.] |
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| 定格電流(L変化による) [Max.] |
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| 定格電流(温度上昇による) [Typ.] |
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| 定格電流(温度上昇による) [Max.] |
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| 直流抵抗 [Typ.] |
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| 直流抵抗 [Max.] |
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| 定格電圧 [Max.] |
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| 自己共振周波数 [Min.] |
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| 自己共振周波数 [Typ.] |
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| Q [Min.] |
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| Q [Typ.] |
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その他
| 使用温度範囲 |
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| はんだ付け方法 |
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| AEC-Q200 |
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| 包装形態 |
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| 梱包数 |
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| 重量 |
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| FIT (Failure In Time) |
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製品情報
ドキュメント
特性グラフ
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積層セラミックチップコンデンサ
CEU3E2X7R2A222K080AE
Capacitance=2.2nF
Edc=100V
T.C.=X7R
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
Serial design
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA2B2C0G1H471J050BE
Capacitance=470pF
Edc=50V
T.C.=C0G
LxWxT:1x0.5x0.5mm
Soft termination
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA3E3X7S2A104K080AB
Capacitance=0.1μF
Edc=100V
T.C.=X7S
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
Mid Volt. (100 to 630V)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA3E3X7S2A104M080AB
Capacitance=0.1μF
Edc=100V
T.C.=X7S
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
Mid Volt. (100 to 630V)
AEC-Q200
インダクタ(コイル)
CLF5030NIT-4R7N-D
L=4.7μH
Rated current=2.1A
L x W x T :
5.3 x 5 x 2.7mm
インダクタ(コイル)
SPM10065VC-2R2M-D
L=2.2μH
Rated current=17.4A
L x W x T :
10.5 x 10.0 x 6.5mm
インダクタ(コイル)
SPM10065VC-470M-D
L=47μH
Rated current=4.1A
L x W x T :
10.5 x 10.0 x 6.5mm
インダクタ(コイル)
SPM5030VC-1R0M-D
L=1.0μH
Rated current=9.9A
L x W x T :
5.3 x 5.1 x 3.0mm
インダクタ(コイル)
SPM5030VC-3R3M-D
L=3.3μH
Rated current=5.1A
L x W x T :
5.3 x 5.1 x 3.0mm
インダクタ(コイル)
SPM5030VC-R15M-D
L=0.15μH
Rated current=16.8A
L x W x T :
5.3 x 5.1 x 3.0mm
