リード付き積層バリスタ(高容量タイプ)
B72527G3350K000
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寸法
| 幅(w) |
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| 高さ(h) |
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| 厚み(s) |
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| リード間隔 |
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| その他詳細 |
電気的特性
| 最大許容回路電圧 [DC] |
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| 最大許容回路電圧 [AC] |
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| バリスタ電圧 (Nom.) at 1mA |
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| 静電容量 |
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| 最大クランプ電圧 [8/20μs] |
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| 最大サージ電流 [8/20μs] |
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| エネルギー耐量 |
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| その他詳細 |
その他
| 使用温度範囲 |
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| はんだ付け方法 | |
| 梱包情報 |
製品情報
ドキュメント
技術支援ツール
3rd Party ECAD models
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SnapMagic
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積層セラミックチップコンデンサ
CGA2B2NP01H101J050BA
Capacitance=100pF
Edc=50V
T.C.=NP0
LxWxT:1x0.5x0.5mm
High Temp. (Up to 150ºC)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA8P3X7T2E105K250KA
Capacitance=1μF
Edc=250V
T.C.=X7T
LxWxT:4.5x3.2x2.5mm
Mid Volt. (100 to 630V)
AEC-Q200
円板形リード付きコンデンサ(中高圧セラミックコンデンサ)
CC45SL3AD560JYNNA
Capacitance=56pF
Edc=1000Vdc
T.C.=SL
DxT: 5.5x5mm ,F: 5mm
Low Dissipation
Halogen-free
円板形リード付きコンデンサ(中高圧セラミックコンデンサ)
CK45-E3AD102ZYNNA
Capacitance=1nF
Edc=1000Vdc
T.C.=E
DxT: 5.5x5mm ,F: 5mm
Halogen-free
積層型リード付きコンデンサ
FA18X7R1H103KNU06
Capacitance=10nF
Edc=50V
T.C.=X7R
LxWxT:4x5.5x2.5mm, Lead pitch:2.5mm
AEC-Q200
General
EMI抑制コンデンサ
B32032A4103M000
0.010uF, 350Vrms AC
5m(W) x 10.5m(H) x 18m(L)
チップビーズ
MMZ1608Q102BTA00
|Z|=1000Ω at 100MHz
Rated current=200mA
L x W x T :
1.6mm x 0.8mm x 0.8mm
CeraDiode®
B72590D0360B060
Max. working voltage=36V DC
チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
B72590E0140L060
Maximum continuous voltage=16V
Maximum Clamping Voltage (8/20μs)=46V
チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
B72590T0140L060
Maximum continuous voltage=16V
Maximum Clamping Voltage (8/20μs)=46V
