チップNTCサーミスタ(センサ)
B57261V2223J060
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寸法
| L x W 寸法 |
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| 厚み | 高さ |
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| その他詳細 |
電気的特性
| 抵抗 [at 25°C] |
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| 抵抗許容差 |
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| B定数 [25/50°C] |
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| B定数 [25/85°C] |
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| B定数 [25/100°C] |
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| B定数許容差 |
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最大電力 [at 25°C]
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許容動作電流 [at 25°C]
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熱放散定数 [at 25°C]
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| その他詳細 |
その他
| 最大使用温度 |
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| ULファイルNo. |
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| AEC-Q200 |
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| はんだ付け方法 | |
| 包装形態 |
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積層セラミックチップコンデンサ
C3225C0G3B103J250AC
Capacitance=10nF
Edc=1250V
T.C.=C0G
LxWxT:3.2x2.5x2.5mm
High Volt. (1000V and over)
積層セラミックチップコンデンサ
CGA4J3X7R1C155K125AB
Capacitance=1.5μF
Edc=16V
T.C.=X7R
LxWxT:2x1.25x1.25mm
General
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA6M1C0G3B102J200AC
Capacitance=1nF
Edc=1250V
T.C.=C0G
LxWxT:3.2x2.5x2mm
High Volt. (1000V and over)
積層セラミックチップコンデンサ
CGA6P1C0G3B822J250AC
Capacitance=8.2nF
Edc=1250V
T.C.=C0G
LxWxT:3.2x2.5x2.5mm
High Volt. (1000V and over)
インダクタ(コイル)
TFM160808BLD-R24MTCA
L=0.24μH
Rated current=3.0A
L x W x T :
1.6 x 0.8 x 0.8mm
サージアレスタ
B88069X7533B401
2 electrodes Arresters
Nominal DC sparkover voltage = 600V
組み込みマイクロコントローラ
HVC4420F
6 Integrated Half-Bridges
High-Performance 32-Bit ARM®
Cortex®-M3 Core
組み込みマイクロコントローラ
HVC4422F
6 Integrated Half-Bridges
High-Performance 32-Bit Arm®
Cortex®-M3 Core
チップNTCサーミスタ(センサ)
B57251V5472J060
Resistance (at 25°C)=4.7kΩ
Resistance Tolerance (at 25°C)=±1%
チップNTCサーミスタ(センサ)
B57374V2104F060
Resistance (at 25°C)=100kΩ
Resistance Tolerance (at 25°C)=±3%
