積層セラミックチップコンデンサ
C3225X5R2A225K230AB
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寸法
| 長さ(L) |
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| 幅(W) |
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| 厚み(T) |
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| 端子幅(B) |
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| 推奨ランドパターン(PA) |
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| 推奨ランドパターン(PB) |
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| 推奨ランドパターン(PC) |
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電気的特性
| 静電容量 |
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| 定格電圧 |
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| 温度特性 |
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| 誘電正接 (Max.) |
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| 絶縁抵抗 (Min.) |
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その他
| 使用温度範囲 |
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| はんだ付け方法 |
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| AEC-Q200 |
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| 包装形態 |
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| 梱包数 |
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| FIT (Failure In Time) |
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製品情報
ドキュメント
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特性グラフ
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積層セラミックチップコンデンサ
C3225C0G2J333J250AA
Capacitance=33nF
Edc=630V
T.C.=C0G
LxWxT:3.2x2.5x2.5mm
Mid Volt. (100 to 630V)
積層セラミックチップコンデンサ
C3225X7R1H106M250AC
Capacitance=10μF
Edc=50V
T.C.=X7R
LxWxT:3.2x2.5x2.5mm
General
積層セラミックチップコンデンサ
C3225X7R2A225K230AB
Capacitance=2.2μF
Edc=100V
T.C.=X7R
LxWxT:3.2x2.5x2.3mm
Mid Volt. (100 to 630V)
積層セラミックチップコンデンサ
C3225X7S3D102K200AA
Capacitance=1nF
Edc=2000V
T.C.=X7S
LxWxT:3.2x2.5x2.0mm
High Volt. (1000V and over)
積層セラミックチップコンデンサ
C4532C0G2J333J200KA
Capacitance=33nF
Edc=630V
T.C.=C0G
LxWxT:4.5x3.2x2mm
Mid Volt. (100 to 630V)
積層セラミックチップコンデンサ
C4532C0G2J333K200KA
Capacitance=33nF
Edc=630V
T.C.=C0G
LxWxT:4.5x3.2x2mm
Mid Volt. (100 to 630V)
積層セラミックチップコンデンサ
CGA6M1C0G3B102J200AC
Capacitance=1nF
Edc=1250V
T.C.=C0G
LxWxT:3.2x2.5x2mm
High Volt. (1000V and over)
積層セラミックチップコンデンサ
CGA6N1C0G3A822J230AC
Capacitance=8.2nF
Edc=1000V
T.C.=C0G
LxWxT:3.2x2.5x2.3mm
High Volt. (1000V and over)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA6P1C0G3A153J250AC
Capacitance=15nF
Edc=1000V
T.C.=C0G
LxWxT:3.2x2.5x2.5mm
High Volt. (1000V and over)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA6P1C0G3B822J250AC
Capacitance=8.2nF
Edc=1250V
T.C.=C0G
LxWxT:3.2x2.5x2.5mm
High Volt. (1000V and over)