積層セラミックチップコンデンサ
C5750X7T2J474M250KC
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寸法
| 長さ(L) |
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| 幅(W) |
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| 厚み(T) |
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| 端子幅(B) |
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| 推奨ランドパターン(PA) |
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| 推奨ランドパターン(PB) |
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| 推奨ランドパターン(PC) |
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電気的特性
| 静電容量 |
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| 定格電圧 |
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| 温度特性 |
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| 誘電正接 (Max.) |
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| 絶縁抵抗 (Min.) |
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その他
| 使用温度範囲 |
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| はんだ付け方法 |
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| AEC-Q200 |
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| 包装形態 |
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| 梱包数 |
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| FIT (Failure In Time) |
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製品情報
ドキュメント
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特性グラフ
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積層セラミックチップコンデンサ
C5750X7T2J474K250KC
Capacitance=0.47μF
Edc=630V
T.C.=X7T
LxWxT:5.7x5x2.5mm
Mid Volt. (100 to 630V)
積層セラミックチップコンデンサ
CAA573X7S2A476M640LH
Capacitance=47μF
Edc=100V
T.C.=X7S
LxWxT:6.0x7.5x6.4mm
MEGACAP type
積層セラミックチップコンデンサ
CGA6M1C0G3A102G200AC
Capacitance=1nF
Edc=1000V
T.C.=C0G
LxWxT:3.2x2.5x2mm
High Volt. (1000V and over)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA6M1C0G3B222J200AC
Capacitance=2.2nF
Edc=1250V
T.C.=C0G
LxWxT:3.2x2.5x2mm
High Volt. (1000V and over)
積層セラミックチップコンデンサ
CGA6M1C0G3B332J200AC
Capacitance=3.3nF
Edc=1250V
T.C.=C0G
LxWxT:3.2x2.5x2mm
High Volt. (1000V and over)
積層セラミックチップコンデンサ
CGA6M1C0G3B472J200AC
Capacitance=4.7nF
Edc=1250V
T.C.=C0G
LxWxT:3.2x2.5x2mm
High Volt. (1000V and over)
積層セラミックチップコンデンサ
CGA6M1C0G3B562J200AC
Capacitance=5.6nF
Edc=1250V
T.C.=C0G
LxWxT:3.2x2.5x2mm
High Volt. (1000V and over)
積層セラミックチップコンデンサ
CGA6P1C0G3B103J250AC
Capacitance=10nF
Edc=1250V
T.C.=C0G
LxWxT:3.2x2.5x2.5mm
High Volt. (1000V and over)
積層セラミックチップコンデンサ
CGA9P1X7T2J474M250KC
Capacitance=0.47μF
Edc=630V
T.C.=X7T
LxWxT:5.7x5x2.5mm
Mid Volt. (100 to 630V)
AEC-Q200
スナップイン, マルチピン, 大型コンデンサ
B43512A0108M060
1000µF/420V DC
35mm dia x 75mm length