積層セラミックチップコンデンサ
CGB2A1X6S0J105K033BC
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寸法
| 長さ(L) |
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| 幅(W) |
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| 厚み(T) |
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| 端子幅(B) |
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| 端子間隔(G) |
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| 推奨ランドパターン(PA) |
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| 推奨ランドパターン(PB) |
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| 推奨ランドパターン(PC) |
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電気的特性
| 静電容量 |
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| 定格電圧 |
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温度特性
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| 誘電正接 (Max.) |
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| 絶縁抵抗 (Min.) |
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その他
| 使用温度範囲 |
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| はんだ付け方法 |
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| AEC-Q200 |
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| 包装形態 |
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| 梱包数 |
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製品情報
ドキュメント
技術支援ツール
3rd Party ECAD models
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特性グラフ
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積層セラミックチップコンデンサ
C3216X5R0J226M085AC
Capacitance=22μF
Edc=6.3V
T.C.=X5R
LxWxT:3.2x1.6x0.85mm
General
積層セラミックチップコンデンサ
CGA3E1X7R1E105K080AC
Capacitance=1μF
Edc=25V
T.C.=X7R
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
General
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA3E2C0G2A330J080AD
Capacitance=33pF
Edc=100V
T.C.=C0G
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
Conductive Epoxy
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA8L1X7R3A472K160KA
Capacitance=4.7nF
Edc=1000V
T.C.=X7R
LxWxT:4.5x3.2x1.6mm
High Volt. (1000V and over)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGB2A1JB1A105K033BC
Capacitance=1μF
Edc=10V
T.C.=JB
LxWxT:1x0.5xmm
Low profile
積層セラミックチップコンデンサ
CGB2A1X5R1A105M033BC
Capacitance=1μF
Edc=10V
T.C.=X5R
LxWxT:1x0.5xmm
Low profile
積層セラミックチップコンデンサ
CGB2A1X6S0J105M033BC
Capacitance=1μF
Edc=6.3V
T.C.=X6S
LxWxT:1x0.5xmm
Low profile
積層セラミックチップコンデンサ
CGB2A3JB1A474K033BB
Capacitance=0.47μF
Edc=10V
T.C.=JB
LxWxT:1x0.5xmm
Low profile
積層セラミックチップコンデンサ
CGB2A3X5R0J105M033BB
Capacitance=1μF
Edc=6.3V
T.C.=X5R
LxWxT:1x0.5xmm
Low profile
積層セラミックチップコンデンサ
CGB3B3X5R0J475K055AB
Capacitance=4.7μF
Edc=6.3V
T.C.=X5R
LxWxT:1.6x0.8xmm
Low profile
