EMI抑制コンデンサ
B32021H3332K003
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寸法
| 幅(w) |
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| 高さ(h) |
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| 長さ(l) |
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| リード間隔(e) |
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| その他詳細 |
電気的特性
| 静電容量 |
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| 実効電圧 [AC] |
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| 電圧上昇率 |
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| その他詳細 |
その他
| 誘電体(形式) |
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| 設計 |
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| ノイズ制御クラス |
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| AEC-Q200 |
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| THBテスト性能 |
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| 備考 |
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| 梱包形態 |
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| その他詳細 |
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積層セラミックチップコンデンサ
C1608X7R1H102K080AA
Capacitance=1nF
Edc=50V
T.C.=X7R
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
General
積層セラミックチップコンデンサ
CGA2B2C0G1H221J050BA
Capacitance=220pF
Edc=50V
T.C.=C0G
LxWxT:1x0.5x0.5mm
General
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA3E1X7R1E105K080AC
Capacitance=1μF
Edc=25V
T.C.=X7R
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
General
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA5L3X7R1H475K160AB
Capacitance=4.7μF
Edc=50V
T.C.=X7R
LxWxT:3.2x1.6x1.6mm
General
AEC-Q200
円板形リード付きコンデンサ(中高圧セラミックコンデンサ)
CD45-E2GA102M-VKA
Capacitance=1nF
Edc=400Vac
T.C.=E
DxT: 7x6mm ,F: 10mm
Safety Standard approved
Halogen-free
EMI抑制コンデンサ
B32021H3102K000
0.0010 µF, 300 V rms AC
4.0m(W) x 9.0m(H) x 13.0m(L)
スナバ, 共振回路及び力率改善(PFC)用コンデンサ
B32652A0223J000
0.022uF, 1000V DC
5mm(W) x 10.5mm(H) x 18mm(L)
スナバ, 共振回路及び力率改善(PFC)用コンデンサ
B32653A0104J000
0.1uF, 1000V DC
8.5mm(W) x 16.5mm(H) x 26.5mm(L)
チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
B72580T0600K062 (Standard)
Maximum continuous voltage=85V
Maximum Clamping Voltage (8/20μs)=165V
リード付きディスクバリスタ
B72205S2271K101
Max. Operating Voltage [AC]=275Vrms
Max. Surge Current Imax(8/20μs,1time)=800A
