EMI抑制コンデンサ
B32921C3103K189
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寸法
| 幅(w) |
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| 高さ(h) |
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| 長さ(l) |
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| リード間隔(e) |
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| その他詳細 |
電気的特性
| 静電容量 |
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| 実効電圧 [AC] |
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| 電圧上昇率 |
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| その他詳細 |
その他
| 誘電体(形式) |
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| 設計 |
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| ノイズ制御クラス |
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| AEC-Q200 |
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| THBテスト性能 |
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| 備考 |
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| 梱包形態 |
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| その他詳細 |
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積層セラミックチップコンデンサ
C2012X5R1V226M125AC
Capacitance=22μF
Edc=35V
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LxWxT:2x1.25x1.25mm
General
積層セラミックチップコンデンサ
C2012X7R1H225K125AC
Capacitance=2.2μF
Edc=50V
T.C.=X7R
LxWxT:2x1.25x1.25mm
General
積層セラミックチップコンデンサ
C2012X7R1H225K125AE
Capacitance=2.2μF
Edc=50V
T.C.=X7R
LxWxT:2x1.25x1.25mm
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積層セラミックチップコンデンサ
C3225X5R1A476M250AC
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General
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Edc=50V
T.C.=X7R
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
Conductive Epoxy
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積層セラミックチップコンデンサ
CGA3E2X7R1H472K080AE
Capacitance=4.7nF
Edc=50V
T.C.=X7R
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
Soft termination
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA4C2C0G1H103J060AD
Capacitance=10nF
Edc=50V
T.C.=C0G
LxWxT:2x1.25x0.6mm
Conductive Epoxy
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA4J3X7R1H225K125AE
Capacitance=2.2μF
Edc=50V
T.C.=X7R
LxWxT:2x1.25x1.25mm
Soft termination
AEC-Q200
EMI抑制コンデンサ
B32921C3103K000
0.01uF, 305Vrms AC
4m(W) x 9m(H) x 13m(L)
EMI抑制コンデンサ
B32921C3103K003
0.01uF, 305Vrms AC
4m(W) x 9m(H) x 13m(L)