EMI抑制コンデンサ
B32922P3333K000
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寸法
| 幅(w) |
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| 高さ(h) |
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| 長さ(l) |
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| リード間隔(e) |
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| その他詳細 |
電気的特性
| 静電容量 |
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| 実効電圧 [AC] |
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| 電圧上昇率 |
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| その他詳細 |
その他
| 誘電体(形式) |
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| 設計 |
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| ノイズ制御クラス |
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| AEC-Q200 |
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| THBテスト性能 |
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| 備考 |
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| 梱包形態 |
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| その他詳細 |
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積層セラミックチップコンデンサ
C1005CH1H080D050BA
Capacitance=8pF
Edc=50V
T.C.=CH
LxWxT:1x0.5x0.5mm
General
積層セラミックチップコンデンサ
C1005NP01H080D050BA
Capacitance=8pF
Edc=50V
T.C.=NP0
LxWxT:1x0.5x0.5mm
High Temp. (Up to 150ºC)
積層セラミックチップコンデンサ
C1608X7R1H104K080AA
Capacitance=0.1μF
Edc=50V
T.C.=X7R
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
General
積層セラミックチップコンデンサ
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Edc=10V
T.C.=JB
LxWxT:3.2x1.6x1.6mm
General
EMI抑制コンデンサ
B32022J3223K000
0.022 µF, 300 V rms AC
7.0m(W) x 12.5m(H) x 18.0m(L)
EMI抑制コンデンサ
B32921C3103M000
0.01uF, 305Vrms AC
4m(W) x 9m(H) x 13m(L)
EMI抑制コンデンサ
B32922P3104K000
0.10uF, 350Vrms AC
5m(W) x 10.5m(H) x 18m(L)
スナバ, 共振回路及び力率改善(PFC)用コンデンサ
B32641B6103J000
0.01uF, 630V DC
4mm(W) x 9mm(H) x 13mm(L)
インダクタ(コイル)
CLF12555T-4R7N
L=4.7μH
Rated current=5.3A
L x W x T :
12.5 x 12.1 x 5.5mm
チップビーズ
MPZ2012S102AT000
|Z|=1000Ω at 100MHz
Rated current=1.5A
L x W x T :
2mm x 1.25mm x 0.85mm
