積層セラミックチップコンデンサ
C1005CH1H080D050BA
|
|
寸法
| 長さ(L) |
|
| 幅(W) |
|
| 厚み(T) |
|
| 端子幅(B) |
|
| 端子間隔(G) |
|
| 推奨ランドパターン(PA) |
|
| 推奨ランドパターン(PB) |
|
| 推奨ランドパターン(PC) |
|
電気的特性
| 静電容量 |
|
| 定格電圧 |
|
| 温度特性 |
|
| Q (Min.) |
|
| 絶縁抵抗 (Min.) |
|
その他
| 使用温度範囲 |
|
| はんだ付け方法 |
|
| AEC-Q200 |
|
| 包装形態 |
|
| 梱包数 |
|
| FIT (Failure In Time) |
|
製品情報
ドキュメント
おすすめコンテンツ
特性グラフ
グラフをローディング中...
この製品を見た人はこれらの製品も見ています
積層セラミックチップコンデンサ
C1005NP01H080D050BA
Capacitance=8pF
Edc=50V
T.C.=NP0
LxWxT:1x0.5x0.5mm
High Temp. (Up to 150ºC)
円板形リード付きコンデンサ(中高圧セラミックコンデンサ)
CS45-E2GA332M-VKA
Capacitance=3.3nF
Edc=400Vac
T.C.=E
DxT: 10x5mm ,F: 7.5mm
Safety Standard approved
Halogen-free
積層型リード付きコンデンサ
FA18C0G1H010CNU00
Capacitance=1pF
Edc=50V
T.C.=C0G
LxWxT:4x5.5x2.5mm, Lead pitch:2.5mm
AEC-Q200
General
積層型リード付きコンデンサ
FA18C0G1H2R2CNU00
Capacitance=2.2pF
Edc=50V
T.C.=C0G
LxWxT:4x5.5x2.5mm, Lead pitch:2.5mm
AEC-Q200
General
積層型リード付きコンデンサ
FA18C0G1H3R3CNU00
Capacitance=3.3pF
Edc=50V
T.C.=C0G
LxWxT:4x5.5x2.5mm, Lead pitch:2.5mm
AEC-Q200
General
EMI抑制コンデンサ
B32921C3103M000
0.01uF, 305Vrms AC
4m(W) x 9m(H) x 13m(L)
EMI抑制コンデンサ
B32922P3333K000
0.033uF, 350Vrms AC
5m(W) x 10.5m(H) x 18m(L)
DCリンク用コンデンサ
B32674D6225K000
2.2uF, 630V DC
15mm(W) x 24.5mm(H) x 31.5mm(L)
スナバ, 共振回路及び力率改善(PFC)用コンデンサ
B32673Z6474J000
0.47uF, 630V DC
8.5mm(W) x 16.5mm(H) x 26.5mm(L)
インダクタ(コイル)
CLF10060NIT-220M-D
L=22μH
Rated current=2.65A
L x W x T :
10.1 x 10 x 6.0mm