積層セラミックチップコンデンサ
C1005CH1H080D050BA
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寸法
| 長さ(L) |
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| 幅(W) |
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| 厚み(T) |
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| 端子幅(B) |
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| 端子間隔(G) |
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| 推奨ランドパターン(PA) |
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| 推奨ランドパターン(PB) |
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| 推奨ランドパターン(PC) |
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電気的特性
| 静電容量 |
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| 定格電圧 |
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| 温度特性 |
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| Q (Min.) |
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| 絶縁抵抗 (Min.) |
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その他
| 使用温度範囲 |
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| はんだ付け方法 |
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| AEC-Q200 |
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| 包装形態 |
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| 梱包数 |
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| FIT (Failure In Time) |
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製品情報
ドキュメント
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特性グラフ
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積層セラミックチップコンデンサ
C0510X5R1A474M030BC
Capacitance=470nF
Edc=10V
T.C.=X5R
LxWxT:0.52x1x0.3mm
Low ESL reverse geometry
積層セラミックチップコンデンサ
C1005NP01H080D050BA
Capacitance=8pF
Edc=50V
T.C.=NP0
LxWxT:1x0.5x0.5mm
High Temp. (Up to 150ºC)
積層型リード付きコンデンサ
FA18C0G1H010CNU00
Capacitance=1pF
Edc=50V
T.C.=C0G
LxWxT:4x5.5x2.5mm, Lead pitch:2.5mm
AEC-Q200
General
積層型リード付きコンデンサ
FA18C0G1H2R2CNU00
Capacitance=2.2pF
Edc=50V
T.C.=C0G
LxWxT:4x5.5x2.5mm, Lead pitch:2.5mm
AEC-Q200
General
積層型リード付きコンデンサ
FA18C0G1H3R3CNU00
Capacitance=3.3pF
Edc=50V
T.C.=C0G
LxWxT:4x5.5x2.5mm, Lead pitch:2.5mm
AEC-Q200
General
EMI抑制コンデンサ
B32921C3103M000
0.01uF, 305Vrms AC
4m(W) x 9m(H) x 13m(L)
EMI抑制コンデンサ
B32922P3333K000
0.033uF, 350Vrms AC
5m(W) x 10.5m(H) x 18m(L)
DCリンク用コンデンサ
B32674D6225K000
2.2uF, 630V DC
15mm(W) x 24.5mm(H) x 31.5mm(L)
スナバ, 共振回路及び力率改善(PFC)用コンデンサ
B32673Z6474J000
0.47uF, 630V DC
8.5mm(W) x 16.5mm(H) x 26.5mm(L)
インダクタ(コイル)
CLF12577NIT-471M-D
L=470μH
Rated current=1A
L x W x T :
12.8 x 12.5 x 7.7mm