EMI抑制コンデンサ
B32924M3185M000
|
|
寸法
| 幅(w) |
|
| 高さ(h) |
|
| 長さ(l) |
|
| リード間隔(e) |
|
| その他詳細 |
電気的特性
| 静電容量 |
|
| 実効電圧 [AC] |
|
| 電圧上昇率 |
|
| その他詳細 |
その他
| 誘電体(形式) |
|
| 設計 |
|
| ノイズ制御クラス |
|
| AEC-Q200 |
|
| THBテスト性能 |
|
| 備考 |
|
| 梱包形態 |
|
| その他詳細 |
この製品を見た人はこれらの製品も見ています
積層セラミックチップコンデンサ
C3216X5R1E106K085AC
Capacitance=10μF
Edc=25V
T.C.=X5R
LxWxT:3.2x1.6x0.85mm
General
積層セラミックチップコンデンサ
C3216X5R1E106K160AB
Capacitance=10μF
Edc=25V
T.C.=X5R
LxWxT:3.2x1.6x1.6mm
General
積層セラミックチップコンデンサ
CGA2B2NP01H100D050BA
Capacitance=10pF
Edc=50V
T.C.=NP0
LxWxT:1x0.5x0.5mm
High Temp. (Up to 150ºC)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA3E2NP01H470J080AA
Capacitance=47pF
Edc=50V
T.C.=NP0
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
High Temp. (Up to 150ºC)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA3E2X8R1H223K080AA
Capacitance=22nF
Edc=50V
T.C.=X8R
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
High Temp. (Up to 150ºC)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA3E3C0G2E222J080AA
Capacitance=2.2nF
Edc=250V
T.C.=C0G
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
Mid Volt. (100 to 630V)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA9N4X7R2J224K230KA
Capacitance=0.22μF
Edc=630V
T.C.=X7R
LxWxT:5.7x5x2.3mm
Mid Volt. (100 to 630V)
AEC-Q200
EMI抑制コンデンサ
B32021H3102M000
0.0010 µF, 300 V rms AC
4.0m(W) x 9.0m(H) x 13.0m(L)
EMI抑制コンデンサ
B32021H3682M000
0.0068 µF, 300 V rms AC
5.0m(W) x 11.0m(H) x 13.0m(L)
DCリンク用コンデンサ
B32714H7205K000
2.0uF, 1500 V DC
21.0mm(W) x 31.0mm(H) x 31.5mm(L)
