EMI抑制コンデンサ
B32021H3682M000
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寸法
| 幅(w) |
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| 高さ(h) |
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| 長さ(l) |
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| リード間隔(e) |
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| その他詳細 |
電気的特性
| 静電容量 |
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| 実効電圧 [AC] |
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| 電圧上昇率 |
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| その他詳細 |
その他
| 誘電体(形式) |
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| 設計 |
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| ノイズ制御クラス |
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| AEC-Q200 |
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| THBテスト性能 |
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| 備考 |
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| 梱包形態 |
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| その他詳細 |
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積層セラミックチップコンデンサ
CGA2B2C0G1H150J050BA
Capacitance=15pF
Edc=50V
T.C.=C0G
LxWxT:1x0.5x0.5mm
General
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA2B2NP01H100D050BA
Capacitance=10pF
Edc=50V
T.C.=NP0
LxWxT:1x0.5x0.5mm
High Temp. (Up to 150ºC)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA3E1C0G2A682J080AC
Capacitance=6.8nF
Edc=100V
T.C.=C0G
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
Mid Volt. (100 to 630V)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA3E3C0G2E222J080AA
Capacitance=2.2nF
Edc=250V
T.C.=C0G
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
Mid Volt. (100 to 630V)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA6N4C0G2J223J230AA
Capacitance=22nF
Edc=630V
T.C.=C0G
LxWxT:3.2x2.5x2.3mm
Mid Volt. (100 to 630V)
AEC-Q200
円板形リード付きコンデンサ(中高圧セラミックコンデンサ)
CS45-E2GA102M-NKA
Capacitance=1nF
Edc=400Vac
T.C.=E
DxT: 6.5x5mm ,F: 7.5mm
Safety Standard approved
Halogen-free
EMI抑制コンデンサ
B32922H3104K000
0.1uF, 305Vrms AC
6m(W) x 11m(H) x 18m(L)
DCリンク用コンデンサ
B25654A5277K001
270µF, 500V DC
109mm (L) x 47(+2,5)mm (W) x 40.5mm (H)
スナバ, 共振回路及び力率改善(PFC)用コンデンサ
B32642B6273J000
0.027uF, 630V DC
5mm(W) x 10.5mm(H) x 18mm(L)
スナバ, 共振回路及び力率改善(PFC)用コンデンサ
B32672L0683K000
0.068uF, 1000V DC
8.5mm(W) x 14.5mm(H) x 18mm(L)
