EMI抑制コンデンサ
B32924M3335M003
|
|
寸法
| 幅(w) |
|
| 高さ(h) |
|
| 長さ(l) |
|
| リード間隔(e) |
|
| その他詳細 |
電気的特性
| 静電容量 |
|
| 実効電圧 [AC] |
|
| 電圧上昇率 |
|
| その他詳細 |
その他
| 誘電体(形式) |
|
| 設計 |
|
| ノイズ制御クラス |
|
| AEC-Q200 |
|
| THBテスト性能 |
|
| 備考 |
|
| 梱包形態 |
|
| その他詳細 |
この製品を見た人はこれらの製品も見ています
積層セラミックチップコンデンサ
C3216X7R1V475K160AE
Capacitance=4.7μF
Edc=35V
T.C.=X7R
LxWxT:3.2x1.6x1.6mm
Soft termination
積層セラミックチップコンデンサ
CGA3E2C0G1H822J080AA
Capacitance=8.2nF
Edc=50V
T.C.=C0G
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
General
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA4J3X7R1H105M125AB
Capacitance=1μF
Edc=50V
T.C.=X7R
LxWxT:2x1.25x1.25mm
General
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA5H4C0G2J152J115AA
Capacitance=1.5nF
Edc=630V
T.C.=C0G
LxWxT:3.2x1.6x1.15mm
Mid Volt. (100 to 630V)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA5H4X7R2J103K115AA
Capacitance=10nF
Edc=630V
T.C.=X7R
LxWxT:3.2x1.6x1.15mm
Mid Volt. (100 to 630V)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA5L1X7R1V475K160AE
Capacitance=4.7μF
Edc=35V
T.C.=X7R
LxWxT:3.2x1.6x1.6mm
Soft termination
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA8M1X7T2J224K200KC
Capacitance=0.22μF
Edc=630V
T.C.=X7T
LxWxT:4.5x3.2x2mm
Mid Volt. (100 to 630V)
AEC-Q200
EMI抑制コンデンサ
B32924M3185M003
1.8uF, 305Vrms AC
11.0m(W) x 19.0m(H) x 31.5m(L)
EMI抑制コンデンサ
B32924M3225K003
2.2uF, 305Vrms AC
14.0m(W) x 24.5m(H) x 31.5m(L)
EMI抑制コンデンサ
B32924M3275K003
2.7uF, 305Vrms AC
14.0m(W) x 24.5m(H) x 31.5m(L)