EMI抑制コンデンサ
B81123C1222M189
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寸法
| 幅(w) |
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| 高さ(h) |
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| 長さ(l) |
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| リード間隔(e) |
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| その他詳細 |
電気的特性
| 静電容量 |
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| 実効電圧 [AC] |
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| 電圧上昇率 |
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| その他詳細 |
その他
| 誘電体(形式) |
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| 設計 |
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| ノイズ制御クラス |
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| AEC-Q200 |
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| THBテスト性能 |
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| 備考 |
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| 梱包形態 |
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| その他詳細 |
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積層セラミックチップコンデンサ
C0603C0G1H101K030BA
Capacitance=100pF
Edc=50V
T.C.=C0G
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General
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C2012C0G1E103J060AA
Capacitance=10nF
Edc=25V
T.C.=C0G
LxWxT:2x1.25x0.6mm
General
積層セラミックチップコンデンサ
C2012C0G2E103J125AA
Capacitance=10nF
Edc=250V
T.C.=C0G
LxWxT:2x1.25x1.25mm
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C4520C0G3F470K160KA
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T.C.=C0G
LxWxT:4.5x2x1.6mm
High Volt. (1000V and over)
積層セラミックチップコンデンサ
CGA7K1X7R3D102M130KA
Capacitance=1nF
Edc=2000V
T.C.=X7R
LxWxT:4.5x2x1.3mm
High Volt. (1000V and over)
AEC-Q200
(セラミックコンデンサ)
B37930K5101J060
(セラミックコンデンサ)
B37931K5103K060
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B43548B5477M060
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EMI抑制コンデンサ
B81123C1222M000
0.0022uF, 500Vrms AC
7m(W) x 12.5m(H) x 18m(L)
スナバ, 共振回路及び力率改善(PFC)用コンデンサ
B32652A0154J000
0.15uF, 1000V DC
11mm(W) x 18.5mm(H) x 18mm(L)