スナバ, 共振回路及び力率改善(PFC)用コンデンサ
B32671P6394M000
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寸法
| 幅(w) |
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| 高さ(h) |
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| 長さ(l) |
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| 直径(d) |
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| リード間隔(e) |
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| その他詳細 |
電気的特性
| 静電容量 |
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| 定格電圧 [DC] |
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| 実効電圧 [AC] |
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| 電圧上昇率 |
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| その他詳細 |
その他
| 誘電体(形式) |
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| 設計 |
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| 工法 |
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| AEC-Q200 |
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| THBテスト性能 |
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| 梱包形態 |
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| その他詳細 |
製品情報
ドキュメント
技術支援ツール
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積層セラミックチップコンデンサ
C4532X7T2J224K200KC
Capacitance=0.22μF
Edc=630V
T.C.=X7T
LxWxT:4.5x3.2x2mm
Mid Volt. (100 to 630V)
積層セラミックチップコンデンサ
CGA4J3X7R1H225K125AB
Capacitance=2.2μF
Edc=50V
T.C.=X7R
LxWxT:2x1.25x1.25mm
General
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA4J3X7R1H225K125AE
Capacitance=2.2μF
Edc=50V
T.C.=X7R
LxWxT:2x1.25x1.25mm
Soft termination
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA5L1X7R2A475K160AC
Capacitance=4.7μF
Edc=100V
T.C.=X7R
LxWxT:3.2x1.6x1.6mm
Mid Volt. (100 to 630V)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA8M1X7T2J224K200KC
Capacitance=0.22μF
Edc=630V
T.C.=X7T
LxWxT:4.5x3.2x2mm
Mid Volt. (100 to 630V)
AEC-Q200
EMI抑制コンデンサ
B32923M3155M000
1.5uF, 305Vrms AC
10.5m(W) x 20.5m(H) x 26.5m(L)
EMI抑制コンデンサ
B32923U4155M000
1.5uF, 350Vrms AC
14.5m(W) x 29.5m(H) x 26.5m(L)
スナバ, 共振回路及び力率改善(PFC)用コンデンサ
B32671P6394J000
0.39uF, 630V DC
8mm(W) x 17.5mm(H) x 13mm(L)
インダクタ(コイル)
LTF3020T-4R7N-D
L=4.7μH
Rated current=0.85A
L x W x T :
4.5 x 3.0 x 2.0mm
インダクタ(コイル)
VLS6045EX-101M-H
L=100μH
Rated current=0.9A
L x W x T :
6 x 6.3 x 4.5mm
