フェライトマグネット
FB5DH
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磁気特性
| 残留磁束密度 [Br] / mT |
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| 保磁力 [Hcb] / (kA / m) |
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| 保磁力 [Hcj] / (kA / m) |
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| 最大エネルギー積 [BH] / (kJ / m³) |
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製品情報
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積層セラミックチップコンデンサ
C1608C0G2E182J080AA
Capacitance=1.8nF
Edc=250V
T.C.=C0G
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
Mid Volt. (100 to 630V)
積層セラミックチップコンデンサ
C1608X8L0J155K080AC
Capacitance=1.5μF
Edc=6.3V
T.C.=X8L
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
High Temp. (Up to 150ºC)
積層セラミックチップコンデンサ
C3216C0G2J392J085AA
Capacitance=3.9nF
Edc=630V
T.C.=C0G
LxWxT:3.2x1.6x0.85mm
Mid Volt. (100 to 630V)
積層セラミックチップコンデンサ
CGA2B1X7R1C683M050BC
Capacitance=68nF
Edc=16V
T.C.=X7R
LxWxT:1x0.5x0.5mm
General
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA2B3X7S2A222K050BB
Capacitance=2.2nF
Edc=100V
T.C.=X7S
LxWxT:1x0.5x0.5mm
Mid Volt. (100 to 630V)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA4C4C0G2W471J060AA
Capacitance=470pF
Edc=450V
T.C.=C0G
LxWxT:2x1.25x0.6mm
Mid Volt. (100 to 630V)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA4F3C0G2E332J085AE
Capacitance=3.3nF
Edc=250V
T.C.=C0G
LxWxT:2x1.25x0.85mm
Soft termination
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA4J3X5R1V475M125AB
Capacitance=4.7μF
Edc=35V
T.C.=X5R
LxWxT:2x1.25x1.25mm
General
AEC-Q200
インダクタ(コイル)
MLF1608DR68KTD25
L=0.68μH
Rated current=70mA
L x W x T :
1.6 x 0.8 x 0.8mm
インダクタ(コイル)
MLG0603P12NHT000
L=12nH
Q=14
L x W x T :
0.6 x 0.3 x 0.3mm
