サージアレスタ
B88069X2253T253
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寸法
| 長さ(L) |
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| 幅(W) もしくは 直径(D) |
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| 高さ |
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電気的特性
| 直流放電電圧 (Nom.) |
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| 直流放電電圧公差 |
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| インパルス放電開始電圧 (Max.) [100V/µs] |
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| インパルス放電開始電圧 (Max.) [1kV/µs] |
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| インパルス放電開始電圧 (Max.) [5kV/µs] |
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| 公称放電交流電流 |
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| 公称インパルス放電電流 |
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| 絶縁抵抗 (Min.) |
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| インパルス寿命: 1オペレーション 50Hz, 0.18s [9 cycles] |
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| インパルス寿命: 1オペレーション [8/20µs] |
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| インパルス寿命: 1オペレーション [10/350µs] |
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| インパルス寿命: 300オペレーション [10/1000µs] |
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| フェールセーフ(短絡バネ) |
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| 直流パワーライン保護クラス |
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| 交流パワーライン保護クラス III |
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| 交流パワーライン保護クラス II |
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| 交流パワーライン保護クラス I |
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| 続流対応 |
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| 一時的な過電圧対応 |
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| 極数 |
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| グロー電圧 |
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| グロー放電臨界電流 |
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| アーク電圧 [1A] |
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| 静電容量 [1MHz] |
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その他
| Climate Category [IEC 600068-1] |
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| UL Certificate UL497B |
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| UL Certificate UL1449 |
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| 取付け方法 |
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| はんだ付け方法 |
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| 包装形態 |
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| 梱包数 |
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| 重量 |
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製品情報
ドキュメント
技術支援ツール
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積層セラミックチップコンデンサ
CGA3E3X7R1H105K080AB
Capacitance=1μF
Edc=50V
T.C.=X7R
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
General
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA5L1X7R1E106K160AC
Capacitance=10μF
Edc=25V
T.C.=X7R
LxWxT:3.2x1.6x1.6mm
General
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA5L1X7R1E106K160AD
Capacitance=10μF
Edc=25V
T.C.=X7R
LxWxT:3.2x1.6x1.6mm
Conductive Epoxy
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA5L1X7R1E106K160AE
Capacitance=10μF
Edc=25V
T.C.=X7R
LxWxT:3.2x1.6x1.6mm
Soft termination
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA5L2C0G1H104J160AE
Capacitance=100nF
Edc=50V
T.C.=C0G
LxWxT:3.2x1.6x1.6mm
Soft termination
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CNA5L1X7R1H106K160AE
Capacitance=10μF
Edc=50V
T.C.=X7R
LxWxT:3.2x1.6x1.6mm
Soft termination
AEC-Q200
EMI抑制コンデンサ
B32021A3472M000
0.0047uF, 300Vrms AC
5m(W) x 11m(H) x 13m(L)
インダクタ(コイル)
NLV32T-471J-EF
L=470μH
Q=20
L x W x T :
3.2 x 2.5 x 2.2mm
チップビーズ
MMZ2012Y150BTD25
|Z|=15Ω at 100MHz
Rated current=1500mA
L x W x T :
2mm x 1.25mm x 0.85mm
チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
AVR-M2012C390KT6AB
Maximum continuous voltage [DC]=28V
Maximum Clamping Voltage (8/20uS)=62V