チップNTCサーミスタ(センサ)
B57351V5223H060
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寸法
| L x W 寸法 |
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| 厚み | 高さ |
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| その他詳細 |
電気的特性
| 抵抗 [at 25°C] |
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| 抵抗許容差 |
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| B定数 [25/50°C] |
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| B定数 [25/85°C] |
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| B定数 [25/100°C] |
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| B定数許容差 |
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最大電力 [at 25°C]
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許容動作電流 [at 25°C]
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熱放散定数 [at 25°C]
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| その他詳細 |
その他
| 最大使用温度 |
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| ULファイルNo. |
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| AEC-Q200 |
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| はんだ付け方法 |
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| 包装形態 |
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製品情報
ドキュメント
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積層セラミックチップコンデンサ
CGA2B1C0G2A561J050BC
Capacitance=560pF
Edc=100V
T.C.=C0G
LxWxT:1x0.5x0.5mm
Mid Volt. (100 to 630V)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA2B3X7R1H104K050BD
Capacitance=0.1μF
Edc=50V
T.C.=X7R
LxWxT:1x0.5x0.5mm
Conductive Epoxy
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA3E3C0G2E122J080AA
Capacitance=1.2nF
Edc=250V
T.C.=C0G
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
Mid Volt. (100 to 630V)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA3E3C0G2E821J080AA
Capacitance=820pF
Edc=250V
T.C.=C0G
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
Mid Volt. (100 to 630V)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA4F2X7R2A103K085AE
Capacitance=10nF
Edc=100V
T.C.=X7R
LxWxT:2x1.25x0.85mm
Soft termination
AEC-Q200
EMI抑制コンデンサ
B32912A3683M189
0.068uF, 330Vrms AC
6m(W) x 11m(H) x 18m(L)
EMI抑制コンデンサ
B32922C3334M000
0.33uF, 305Vrms AC
8m(W) x 14m(H) x 18m(L)
インダクタ(コイル)
CLF10040T-100M-D
L=10μH
Rated current=3.3A
L x W x T :
10 x 9.7 x 3.8mm
インダクタ(コイル)
RLF12560T-100M7R5
L=10μH
Rated current=7.8A
L x W x T :
12.8 x 12.5 x 6mm
インダクタ(コイル)
VLF10040T-100M3R8
L=10μH
Rated current=3.8A
L x W x T :
10 x 9.7 x 4mm
