チップNTCサーミスタ(センサ)
B57459V6473F262
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寸法
| L x W 寸法 |
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| 厚み | 高さ |
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| その他詳細 |
電気的特性
| 抵抗 [at 25°C] |
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| 抵抗許容差 |
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| B定数 [25/50°C] |
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| B定数 [25/85°C] |
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| B定数 [25/100°C] |
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| B定数許容差 |
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最大電力 [at 25°C]
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許容動作電流 [at 25°C]
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熱放散定数 [at 25°C]
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| その他詳細 |
その他
| 最大使用温度 |
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| ULファイルNo. |
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| AEC-Q200 |
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| はんだ付け方法 |
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| 包装形態 |
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製品情報
ドキュメント
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積層セラミックチップコンデンサ
C2012C0G2W681J060AE
Capacitance=680pF
Edc=450V
T.C.=C0G
LxWxT:2x1.25x0.6mm
Soft termination
積層セラミックチップコンデンサ
C2012X8R1C105K125AE
Capacitance=1μF
Edc=16V
T.C.=X8R
LxWxT:2x1.25x1.25mm
Soft termination
積層セラミックチップコンデンサ
CNA6P1C0G3A223G250AE
Capacitance=22nF
Edc=1000V
T.C.=C0G
LxWxT:3.2x2.5x2.5mm
High Volt. (1000V and over)
Soft termination
AEC-Q200
円板形リード付きコンデンサ(中高圧セラミックコンデンサ)
CC45SL3AD100JYNNA
Capacitance=10pF
Edc=1000Vdc
T.C.=SL
DxT: 5.5x5mm ,F: 5mm
Low Dissipation
Halogen-free
インダクタ(コイル)
PLE856CBA1R0M-1PT00
L=1.0μH
Rated current=0.42A
L x W x T :
0.8 x 0.45 x 0.6mm
インダクタ(コイル)
PLEC69BCA100M-1PT00
L=10μH
Rated current=0.2A
L x W x T :
1.2 x 0.6 x 0.95mm
チップビーズ
MMZ0603D560CT000
|Z|=56Ω at 100MHz
Rated current=100mA
L x W x T :
0.6mm x 0.3mm x 0.3mm
バラン
HHM1603A1
Pass Band=2300 to 2700MHz
Bal. Port Zc=100Ohm
チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
AVR-M1608C270KTACB
Maximum continuous voltage [DC]=19V
Maximum Clamping Voltage (8/20uS)=54V
チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
AVRM1005C6R8NT101N
Maximum continuous voltage [DC]=3.5V
Maximum Clamping Voltage (8/20uS)=14V
