チップNTCサーミスタ(センサ)
B57459V6473F262
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寸法
| L x W 寸法 |
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| 厚み | 高さ |
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| その他詳細 |
電気的特性
| 抵抗 [at 25°C] |
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| 抵抗許容差 |
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| B定数 [25/50°C] |
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| B定数 [25/85°C] |
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| B定数 [25/100°C] |
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| B定数許容差 |
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最大電力 [at 25°C]
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許容動作電流 [at 25°C]
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熱放散定数 [at 25°C]
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| その他詳細 |
その他
| 最大使用温度 |
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| ULファイルNo. |
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| AEC-Q200 |
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| はんだ付け方法 |
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| 包装形態 |
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製品情報
ドキュメント
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積層セラミックチップコンデンサ
C2012X8R1C105K125AE
Capacitance=1μF
Edc=16V
T.C.=X8R
LxWxT:2x1.25x1.25mm
Soft termination
積層セラミックチップコンデンサ
CGA3E2X8R1H473K080AE
Capacitance=47nF
Edc=50V
T.C.=X8R
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
Soft termination
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA5L2X7R2A684M160AA
Capacitance=0.68μF
Edc=100V
T.C.=X7R
LxWxT:3.2x1.6x1.6mm
Mid Volt. (100 to 630V)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA8N3X7R2E224K230KA
Capacitance=0.22μF
Edc=250V
T.C.=X7R
LxWxT:4.5x3.2x2.3mm
Mid Volt. (100 to 630V)
AEC-Q200
積層型リード付きコンデンサ
FG16C0G2A104JRT06
Capacitance=0.1μF
Edc=100V
T.C.=C0G
LxWxT:5.5x6x3.5mm, Lead pitch:2.5mm
General
積層型リード付きコンデンサ
FG26C0G2J471JNT06
Capacitance=470pF
Edc=630V
T.C.=C0G
LxWxT:5.5x6x3.5mm, Lead pitch:5mm
General
積層型リード付きコンデンサ
FG26C0G2J821JNT06
Capacitance=820pF
Edc=630V
T.C.=C0G
LxWxT:5.5x6x3.5mm, Lead pitch:5mm
General
(セラミックコンデンサ)
B37987F5104K000
インダクタ(コイル)
PLEC69BCA100M-1PT00
L=10μH
Rated current=0.2A
L x W x T :
1.2 x 0.6 x 0.95mm
チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
AVRM1005C6R8NT101N
Maximum continuous voltage [DC]=3.5V
Maximum Clamping Voltage (8/20uS)=14V
