ホールスイッチ

積層セラミックチップコンデンサ

C3225X7T2J104K160AC

Capacitance=0.1μF
Edc=630V
T.C.=X7T

LxWxT:3.2x2.5x1.6mm
Mid Volt. (100 to 630V)

積層セラミックチップコンデンサ

CGA1A2X7R1C221K030BA

Capacitance=220pF
Edc=16V
T.C.=X7R

LxWxT:0.6x0.3x0.3mm
General
AEC-Q200

積層セラミックチップコンデンサ

CGA3E3X8R1C474K080AB

Capacitance=0.47μF
Edc=16V
T.C.=X8R

LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
High Temp. (Up to 150ºC)
AEC-Q200

EMI抑制コンデンサ

B32932A3104K000

0.1uF, 305Vrms AC

6m(W) x 11m(H) x 18m(L)

インダクタ(コイル)

SPM10054T-470M-HZ

L=47μH
Rated current=3.1A

L x W x T :
10.7 x 10.0 x 5.4mm

インダクタ(コイル)

VLS201612HBX-R24M-1

L=0.24μH
Rated current=6.5A

L x W x T :
2 x 1.6 x 1.2mm

インダクタ(コイル)

VLS4015CX-100M-H

L=10μH
Rated current=1.16A

L x W x T :
4 x 4 x 1.5mm

チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ

AVRH10C390KT500NA8

Maximum continuous voltage [DC]=28V

Maximum Clamping Voltage (8/20uS)=72V

チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ

B72500G0140K060

Maximum continuous voltage=18V

Maximum Clamping Voltage (8/20μs)=40V

チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ

B72510G0300K062

Maximum continuous voltage=38V

Maximum Clamping Voltage (8/20μs)=77V