積層セラミックチップコンデンサ
C2012X8R1E474K125AB
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寸法
長さ(L) |
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幅(W) |
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厚み(T) |
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端子幅(B) |
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端子間隔(G) |
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推奨ランドパターン(PA) |
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推奨ランドパターン(PB) |
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推奨ランドパターン(PC) |
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電気的特性
静電容量 |
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定格電圧 |
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温度特性 |
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誘電正接 (Max.) |
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絶縁抵抗 (Min.) |
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その他
使用温度範囲 |
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はんだ付け方法 |
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AEC-Q200 |
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包装形態 |
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梱包数 |
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製品情報
ドキュメント
技術支援ツール
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積層セラミックチップコンデンサ
C2012X6S0G226M085AC
Capacitance=22μF
Edc=4V
T.C.=X6S
LxWxT:2x1.25x0.85mm
General

積層セラミックチップコンデンサ
C2012X7R2A102K085AA
Capacitance=1nF
Edc=100V
T.C.=X7R
LxWxT:2x1.25x0.85mm
Mid Volt. (100 to 630V)

積層セラミックチップコンデンサ
C2012X8R1C105K125AB
Capacitance=1μF
Edc=16V
T.C.=X8R
LxWxT:2x1.25x1.25mm
High Temp. (Up to 150ºC)

積層セラミックチップコンデンサ
C2012X8R1H154K125AB
Capacitance=0.15μF
Edc=50V
T.C.=X8R
LxWxT:2x1.25x1.25mm
High Temp. (Up to 150ºC)

積層セラミックチップコンデンサ
CGA3E2X5R1C334K080AA
Capacitance=0.33μF
Edc=16V
T.C.=X5R
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
General
AEC-Q200

円板形リード付きコンデンサ(中高圧セラミックコンデンサ)
CC45SL3AD221JYNNA
Capacitance=220pF
Edc=1000Vdc
T.C.=SL
DxT: 8.5x5mm ,F: 5mm
Low Dissipation
Halogen-free

円板形リード付きコンデンサ(中高圧セラミックコンデンサ)
CC45SL3DD470JYNNA
Capacitance=47pF
Edc=2000Vdc
T.C.=SL
DxT: 5.5x5mm ,F: 5mm
Low Dissipation
Halogen-free

インダクタ(コイル)
VLS201612HBX-2R2M-1
L=2.2μH
Rated current=2.1A
L x W x T :
2 x 1.6 x 1.2mm

バラン
HHM1522B1
Pass Band=880 to 960MHz
Bal. Port Zc=50Ohm

バラン
HHM1562B
Pass Band=5150 to 5875MHz
Bal. Port Zc=100Ohm