積層セラミックチップコンデンサ
C3225C0G3A122G200AC
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製品画像は代表的な製品を表示しています。 |
一般グレード
量産体制
寸法
| 長さ(L) |
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| 幅(W) |
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| 厚み(T) |
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| 端子幅(B) |
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| 端子間隔(G) |
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| 推奨ランドパターン(PA) |
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| 推奨ランドパターン(PB) |
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| 推奨ランドパターン(PC) |
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| 推奨スリットパターン(SD) |
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電気的特性
| 静電容量 |
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| 定格電圧 |
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| 温度特性 ? |
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| Q (Min.) |
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| 絶縁抵抗 (Min.) |
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| 許容電圧 |
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| 許容電流 |
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その他
| 使用温度範囲 |
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| はんだ付け方法 |
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| AEC-Q200 |
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| 包装形態 |
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| 梱包数 |
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カタログ
サンプルキット 3rd Party ECAD models
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SnapMagic
特性グラフ (参考データであり、製品の特性を保証するものではありません。)
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C3225C0G2J822J125AA
積層セラミックチップコンデンサ
Capacitance=8.2nF
Edc=630V
T.C.=C0GLxWxT:3.2x2.5x1.25mm
Mid Volt. (100 to 630V) -
C3225C0G3A272G200AC
積層セラミックチップコンデンサ
Capacitance=2.7nF
Edc=1000V
T.C.=C0GLxWxT:3.2x2.5x2mm
High Volt. (1000V and over) -
C3225C0G3A272G200AE
積層セラミックチップコンデンサ
Capacitance=2.7nF
Edc=1000V
T.C.=C0GLxWxT:3.2x2.5x2mm
Soft termination -
C3225C0G3A472J200AC
積層セラミックチップコンデンサ
Capacitance=4.7nF
Edc=1000V
T.C.=C0GLxWxT:3.2x2.5x2mm
High Volt. (1000V and over) -
CGA6J4C0G2J822J125AA
積層セラミックチップコンデンサ
Capacitance=8.2nF
Edc=630V
T.C.=C0GLxWxT:3.2x2.5x1.25mm
Mid Volt. (100 to 630V)
AEC-Q200 -
CGA6M1C0G3A272G200AC
積層セラミックチップコンデンサ
Capacitance=2.7nF
Edc=1000V
T.C.=C0GLxWxT:3.2x2.5x2mm
High Volt. (1000V and over)
AEC-Q200 -
CGA6M1C0G3A272G200AE
積層セラミックチップコンデンサ
Capacitance=2.7nF
Edc=1000V
T.C.=C0GLxWxT:3.2x2.5x2mm
Soft termination
AEC-Q200 -
CGA6M1C0G3A272J200AC
積層セラミックチップコンデンサ
Capacitance=2.7nF
Edc=1000V
T.C.=C0GLxWxT:3.2x2.5x2mm
High Volt. (1000V and over)
AEC-Q200 -
CGA6M1C0G3A272J200AE
積層セラミックチップコンデンサ
Capacitance=2.7nF
Edc=1000V
T.C.=C0GLxWxT:3.2x2.5x2mm
Soft termination
AEC-Q200 -
B72214S0381K101
リード付きディスクバリスタ
Max. Operating Voltage [AC]=385Vrms
Max. Surge Current Imax(8/20μs,1time)=4500A
