積層セラミックチップコンデンサ
C3225C0G3B102G200AC
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寸法
| 長さ(L) |
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| 幅(W) |
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| 厚み(T) |
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| 端子幅(B) |
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| 推奨ランドパターン(PA) |
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| 推奨ランドパターン(PB) |
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| 推奨ランドパターン(PC) |
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| 推奨スリットパターン(SD) |
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電気的特性
| 静電容量 |
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| 定格電圧 |
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温度特性
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| Q (Min.) |
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| 絶縁抵抗 (Min.) |
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| 許容電圧 |
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| 許容電流 |
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その他
| 使用温度範囲 |
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| はんだ付け方法 |
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| AEC-Q200 |
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| 包装形態 |
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| 梱包数 |
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| FIT (Failure In Time) |
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myTDKに
製品情報
特性グラフ
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積層セラミックチップコンデンサ
C3225C0G3B102J200AC
Capacitance=1nF
Edc=1250V
T.C.=C0G
LxWxT:3.2x2.5x2mm
High Volt. (1000V and over)
積層セラミックチップコンデンサ
C3225C0G3B103G250AC
Capacitance=10nF
Edc=1250V
T.C.=C0G
LxWxT:3.2x2.5x2.5mm
High Volt. (1000V and over)
積層セラミックチップコンデンサ
C3225X7R2A105K200AA
Capacitance=1μF
Edc=100V
T.C.=X7R
LxWxT:3.2x2.5x2mm
Mid Volt. (100 to 630V)
積層セラミックチップコンデンサ
CGA4J3X7S2A684K125AB
Capacitance=0.68μF
Edc=100V
T.C.=X7S
LxWxT:2x1.25x1.25mm
Mid Volt. (100 to 630V)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA6M1C0G3A332J200AC
Capacitance=3.3nF
Edc=1000V
T.C.=C0G
LxWxT:3.2x2.5x2mm
High Volt. (1000V and over)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA6M1C0G3B102G200AC
Capacitance=1nF
Edc=1250V
T.C.=C0G
LxWxT:3.2x2.5x2mm
High Volt. (1000V and over)
積層セラミックチップコンデンサ
CGA6P4NP02J333J250AA
Capacitance=33nF
Edc=630V
T.C.=NP0
LxWxT:3.2x2.5x2.5mm
Mid Volt. (100 to 630V)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CKG57NX7R2A475M500JJ
Capacitance=4.7μF
Edc=100V
T.C.=X7R
LxWxT:6x5x5mm
MEGACAP type
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CNA6P1C0G3A103G250AE
Capacitance=10nF
Edc=1000V
T.C.=C0G
LxWxT:3.2x2.5x2.5mm
High Volt. (1000V and over)
Soft termination
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CNA6P1C0G3A103J250AE
Capacitance=10nF
Edc=1000V
T.C.=C0G
LxWxT:3.2x2.5x2.5mm
High Volt. (1000V and over)
Soft termination
AEC-Q200
