積層セラミックチップコンデンサ
C3225NP02J333G250AA
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寸法
| 長さ(L) |
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| 幅(W) |
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| 厚み(T) |
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| 端子幅(B) |
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| 推奨ランドパターン(PA) |
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| 推奨ランドパターン(PB) |
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| 推奨ランドパターン(PC) |
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電気的特性
| 静電容量 |
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| 定格電圧 |
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| 温度特性 |
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| Q (Min.) |
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| 絶縁抵抗 (Min.) |
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| 許容電圧 |
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| 許容電流 |
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その他
| 使用温度範囲 |
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| はんだ付け方法 |
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| AEC-Q200 |
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| 包装形態 |
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| 梱包数 |
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| FIT (Failure In Time) |
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製品情報
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特性グラフ
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積層セラミックチップコンデンサ
C3225C0G2J333J250AE
Capacitance=33nF
Edc=630V
T.C.=C0G
LxWxT:3.2x2.5x2.5mm
Soft termination
積層セラミックチップコンデンサ
C3225C0G3B103J250AC
Capacitance=10nF
Edc=1250V
T.C.=C0G
LxWxT:3.2x2.5x2.5mm
High Volt. (1000V and over)
積層セラミックチップコンデンサ
CGA3E2X7R2A103K080AA
Capacitance=10nF
Edc=100V
T.C.=X7R
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
Mid Volt. (100 to 630V)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA6P4C0G2J333J250AA
Capacitance=33nF
Edc=630V
T.C.=C0G
LxWxT:3.2x2.5x2.5mm
Mid Volt. (100 to 630V)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA6P4NP02J333J250AA
Capacitance=33nF
Edc=630V
T.C.=NP0
LxWxT:3.2x2.5x2.5mm
Mid Volt. (100 to 630V)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA9Q1C0G3A223G280KC
Capacitance=22nF
Edc=1000V
T.C.=C0G
LxWxT:5.7x5x2.8mm
High Volt. (1000V and over)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA9Q4C0G2W104J280KA
Capacitance=0.1μF
Edc=450V
T.C.=C0G
LxWxT:5.7x5x2.8mm
Mid Volt. (100 to 630V)
AEC-Q200
EMI抑制コンデンサ
B32914H4105K000
1uF, 480Vrms AC
18.0m(W) x 33.0m(H) x 31.5m(L)
インダクタ(コイル)
SPM6550T-220M-HZ
L=22μH
Rated current=2.6A
L x W x T :
7.1 x 6.5 x 5mm
インダクタ(コイル)
SPM6550T-220M-HZR
L=22μH
Rated current=2.8A
L x W x T :
7.1 x 6.5 x 5mm