チップNTCサーミスタ(センサ)
NTCG203JH682JT1
|
|
寸法
| 長さ(L) |
|
| 幅(W) |
|
| 厚み(T) |
|
| 端子幅(B) |
|
| 推奨ランドパターン(PA) |
|
| 推奨ランドパターン(PB) |
|
| 推奨ランドパターン(PC) |
|
電気的特性
| 抵抗 [at 25°C] |
|
| 抵抗許容差 |
|
| B定数 (Typ.) [25/50°C] |
|
| B定数 (Typ.) [25/85°C] |
|
| B定数 (Typ.) [25/100°C] |
|
| B定数許容差 |
|
最大電力 [at 25°C]
|
|
|
許容動作電流 [at 25°C]
|
|
|
熱放散定数 [at 25°C]
|
|
その他
| 最大使用温度 |
|
| はんだ付け方法 |
|
| ULファイルNo. |
|
| AEC-Q200 |
|
| 包装形態 |
|
| 梱包数 |
|
| 重量 |
|
製品情報
3rd Party ECAD models
-
SnapMagic
この製品を見た人はこれらの製品も見ています
積層セラミックチップコンデンサ
C5750X7R2A155K230KM
Capacitance=1.5μF
Edc=100V
T.C.=X7R
LxWxT:5.7x5x2.3mm
Open mode
積層セラミックチップコンデンサ
CGA2B3X7S2A682K050BB
Capacitance=6.8nF
Edc=100V
T.C.=X7S
LxWxT:1x0.5x0.5mm
Mid Volt. (100 to 630V)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA3E2C0G1H180J080AD
Capacitance=18pF
Edc=50V
T.C.=C0G
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
Conductive Epoxy
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA3E2C0G1H391J080AD
Capacitance=390pF
Edc=50V
T.C.=C0G
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
Conductive Epoxy
AEC-Q200
インダクタ(コイル)
MLF2012DR82MTD25
L=0.82μH
Rated current=150mA
L x W x T :
2 x 1.25 x 1.25mm
チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
B72520E0300K062
Maximum continuous voltage=38V
Maximum Clamping Voltage (8/20μs)=77V
チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
B72520E0400K062
Maximum continuous voltage=56V
Maximum Clamping Voltage (8/20μs)=110V
リード付きディスクバリスタ
B72210S0500K101
Max. Operating Voltage [AC]=50Vrms
Max. Surge Current Imax(8/20μs,1time)=2500A
リード付きディスクバリスタ
B72214U2321K501
Max. Operating Voltage [AC]=320Vrms
Max. Surge Current Imax(8/20μs,1time)=6000A
SMDディスクバリスタ
B72650M0400K072
Max. Operating Voltage [AC]=40Vrms
Max. Surge Current Imax(8/20μs,1time)=100A
