NTCエレメント
NTCDS3SG104HC4NB
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寸法
| 長さ(L) |
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| 直径(D) |
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| 端子長さ |
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| 端子直径 |
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電気的特性
| 公称抵抗値 |
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| 公称抵抗値許容差 |
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| 参考抵抗値 |
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| 公称B定数 (Typ.) [0/100°C] |
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| 公称B定数許容差 |
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| 参考B定数 (Typ.) [25/85°C] |
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| 参考B定数 (Typ.) [25/100°C] |
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| 最大電力 [at 25°C] |
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| 熱放散定数 [at 25°C] |
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その他
| 使用温度範囲 |
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| 端子備考 |
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| ULファイルNo. |
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| AEC-Q200 |
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| 包装形態 |
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| 梱包数 |
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| 重量 |
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製品情報
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積層セラミックチップコンデンサ
CGA3E2C0G1H100D080AD
Capacitance=10pF
Edc=50V
T.C.=C0G
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
Conductive Epoxy
AEC-Q200
EMI抑制コンデンサ
B32026A3474M000
0.47uF, 300Vrms AC
14m(W) x 25m(H) x 41.5m(L)
EMI抑制コンデンサ
B32922D3334K289
0.33uF, 305Vrms AC
8.5m(W) x 14.5m(H) x 18m(L)
インダクタ(コイル)
VLF3010AT-100MR49
L=10μH
Rated current=0.49A
L x W x T :
2.8 x 2.6 x 1mm
インダクタ(コイル)
VLS3010CX-100M-1
L=10μH
Rated current=0.50A
L x W x T :
3 x 3 x 1.0mm
インダクタ(コイル)
VLS5045EX-151M
L=150μH
Rated current=0.56A
L x W x T :
5 x 5 x 4.5mm
SMDディスクバリスタ
B72650M0110K072
Max. Operating Voltage [AC]=11Vrms
Max. Surge Current Imax(8/20μs,1time)=100A
SMDディスクバリスタ
B72660M0271K072
Max. Operating Voltage [AC]=275Vrms
Max. Surge Current Imax(8/20μs,1time)=1200A
NTCエレメント
B57164K0330K000
Nominal Resistance=0.033kΩ
Nominal Resistance Tolerance=±10%
NTCエレメント
B57540G1104G000
Nominal Resistance=100kΩ
Nominal Resistance Tolerance=±2%
