積層セラミックチップコンデンサ
CGA3E1X7R1C684M080AC
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寸法
| 長さ(L) |
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| 幅(W) |
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| 厚み(T) |
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| 端子幅(B) |
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| 端子間隔(G) |
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| 推奨ランドパターン(PA) |
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| 推奨ランドパターン(PB) |
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| 推奨ランドパターン(PC) |
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電気的特性
| 静電容量 |
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| 定格電圧 |
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温度特性
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| 誘電正接 (Max.) |
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| 絶縁抵抗 (Min.) |
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その他
| 使用温度範囲 |
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| はんだ付け方法 |
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| AEC-Q200 |
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| 包装形態 |
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| 梱包数 |
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| FIT (Failure In Time) |
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積層セラミックチップコンデンサ
CGA4C2C0G1H103J060AA
Capacitance=10nF
Edc=50V
T.C.=C0G
LxWxT:2x1.25x0.6mm
General
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA4J2X8R1H104K125AA
Capacitance=0.1μF
Edc=50V
T.C.=X8R
LxWxT:2x1.25x1.25mm
High Temp. (Up to 150ºC)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA4J3X7S2A105M125AB
Capacitance=1μF
Edc=100V
T.C.=X7S
LxWxT:2x1.25x1.25mm
Mid Volt. (100 to 630V)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA6P3X7S1H106M250AE
Capacitance=10μF
Edc=50V
T.C.=X7S
LxWxT:3.2x2.5x2.5mm
Soft termination
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA8L1C0G3F101K160KA
Capacitance=100pF
Edc=3000V
T.C.=C0G
LxWxT:4.5x3.2x1.6mm
High Volt. (1000V and over)
AEC-Q200
インダクタ(コイル)
TFM252012ALMA1R0MTAA
L=1μH
Rated current=3.7A
L x W x T :
2.5 x 2.0 x 1.2mm
インダクタ(コイル)
TFM252012ALMA4R7MTAA
L=4.7μH
Rated current=1.6A
L x W x T :
2.5 x 2.0 x 1.2mm
