積層セラミックチップコンデンサ
CGA3E2C0G1H040C080AD
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寸法
| 長さ(L) |
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| 幅(W) |
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| 厚み(T) |
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| 端子幅(B) |
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| 端子間隔(G) |
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| 推奨ランドパターン(PA) |
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| 推奨ランドパターン(PB) |
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| 推奨ランドパターン(PC) |
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電気的特性
| 静電容量 |
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| 定格電圧 |
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| 温度特性 |
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| Q (Min.) |
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| 絶縁抵抗 (Min.) |
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その他
| 使用温度範囲 |
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| はんだ付け方法 |
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| AEC-Q200 |
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| 包装形態 |
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| 梱包数 |
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製品情報
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特性グラフ
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積層セラミックチップコンデンサ
C2012X7T2V333K125AA
Capacitance=33nF
Edc=350V
T.C.=X7T
LxWxT:2x1.25x1.25mm
Mid Volt. (100 to 630V)
積層セラミックチップコンデンサ
CGA3E2C0G1H040C080AA
Capacitance=4pF
Edc=50V
T.C.=C0G
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
General
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA3E2NP01H040C080AA
Capacitance=4pF
Edc=50V
T.C.=NP0
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
High Temp. (Up to 150ºC)
AEC-Q200
インダクタ(コイル)
MHQ1005P15NHTD25
L=15nH
Q=23
L x W x T :
1 x 0.6 x 0.5mm