積層セラミックチップコンデンサ
CGA3E2C0G2A050C080AD
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寸法
| 長さ(L) |
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| 幅(W) |
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| 厚み(T) |
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| 端子幅(B) |
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| 端子間隔(G) |
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| 推奨ランドパターン(PA) |
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| 推奨ランドパターン(PB) |
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| 推奨ランドパターン(PC) |
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電気的特性
| 静電容量 |
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| 定格電圧 |
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温度特性
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| Q (Min.) |
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| 絶縁抵抗 (Min.) |
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その他
| 使用温度範囲 |
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| はんだ付け方法 |
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| AEC-Q200 |
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| 包装形態 |
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| 梱包数 |
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製品情報
3rd Party ECAD models
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SnapMagic
特性グラフ
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積層セラミックチップコンデンサ
C1608C0G2A471J080AA
Capacitance=470pF
Edc=100V
T.C.=C0G
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
Mid Volt. (100 to 630V)
積層セラミックチップコンデンサ
C1608C0G2A471J080AE
Capacitance=470pF
Edc=100V
T.C.=C0G
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
Soft termination
積層セラミックチップコンデンサ
CGA3E1X7R1E684K080AC
Capacitance=0.68μF
Edc=25V
T.C.=X7R
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
General
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA3E1X7R1E684K080AD
Capacitance=0.68μF
Edc=25V
T.C.=X7R
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
Conductive Epoxy
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA3E2C0G2A050C080AA
Capacitance=5pF
Edc=100V
T.C.=C0G
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
Mid Volt. (100 to 630V)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA5L1X7R1E106K160AC
Capacitance=10μF
Edc=25V
T.C.=X7R
LxWxT:3.2x1.6x1.6mm
General
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA5L1X7R1E106K160AD
Capacitance=10μF
Edc=25V
T.C.=X7R
LxWxT:3.2x1.6x1.6mm
Conductive Epoxy
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA6P1X7R1N106K250AC
Capacitance=10μF
Edc=75V
T.C.=X7R
LxWxT:3.2x2.5x2.5mm
General
AEC-Q200
チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
B72580E3140S272
Maximum continuous voltage=16V
Maximum Clamping Voltage (8/20μs)=40V
チップNTCサーミスタ(センサ)
NTCG164KF104FT1S
Resistance (at 25°C)=100kΩ
Resistance Tolerance (at 25°C)=±1%
