積層セラミックチップコンデンサ
CGA3E2X7R1H333K080AD
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寸法
| 長さ(L) |
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| 幅(W) |
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| 厚み(T) |
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| 端子幅(B) |
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| 端子間隔(G) |
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| 推奨ランドパターン(PA) |
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| 推奨ランドパターン(PB) |
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| 推奨ランドパターン(PC) |
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電気的特性
| 静電容量 |
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| 定格電圧 |
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温度特性
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| 誘電正接 (Max.) |
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| 絶縁抵抗 (Min.) |
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その他
| 使用温度範囲 |
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| はんだ付け方法 |
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| AEC-Q200 |
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| 包装形態 |
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| 梱包数 |
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製品情報
特性グラフ
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積層セラミックチップコンデンサ
CGA3E2X7R1H103M080AA
Capacitance=10nF
Edc=50V
T.C.=X7R
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
General
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA3E2X7R1H104K080AA
Capacitance=0.1μF
Edc=50V
T.C.=X7R
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
General
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA3E2X7R1H104K080AD
Capacitance=0.1μF
Edc=50V
T.C.=X7R
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
Conductive Epoxy
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA3E2X7R1H104K080AE
Capacitance=0.1μF
Edc=50V
T.C.=X7R
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
Soft termination
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA3E2X7R1H222K080AD
Capacitance=2.2nF
Edc=50V
T.C.=X7R
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
Conductive Epoxy
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA3E2X7R1H333K080AA
Capacitance=33nF
Edc=50V
T.C.=X7R
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
General
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA6P3X7S1H106K250AB
Capacitance=10μF
Edc=50V
T.C.=X7S
LxWxT:3.2x2.5x2.5mm
General
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA9P3X7R1H226M250KB
Capacitance=22μF
Edc=50V
T.C.=X7R
LxWxT:5.7x5x2.5mm
General
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA9P3X7S2A156M250KB
Capacitance=15μF
Edc=100V
T.C.=X7S
LxWxT:5.7x5x2.5mm
Mid Volt. (100 to 630V)
AEC-Q200
インダクタ(コイル)
CLF7045NIT-100M-D
L=10μH
Rated current=3A
L x W x T :
7.4 x 7 x 4.5mm
