積層セラミックチップコンデンサ
CGA3E3X8R1E154K080AD
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寸法
| 長さ(L) |
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| 幅(W) |
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| 厚み(T) |
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| 端子幅(B) |
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| 端子間隔(G) |
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| 推奨ランドパターン(PA) |
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| 推奨ランドパターン(PB) |
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| 推奨ランドパターン(PC) |
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電気的特性
| 静電容量 |
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| 定格電圧 |
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温度特性
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| 誘電正接 (Max.) |
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| 絶縁抵抗 (Min.) |
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その他
| 使用温度範囲 |
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| はんだ付け方法 |
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| AEC-Q200 |
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| 包装形態 |
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| 梱包数 |
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製品情報
技術支援ツール
3rd Party ECAD models
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SnapMagic
特性グラフ
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積層セラミックチップコンデンサ
CGA2B2NP01H101J050BA
Capacitance=100pF
Edc=50V
T.C.=NP0
LxWxT:1x0.5x0.5mm
High Temp. (Up to 150ºC)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA3E3X8R1E154K080AB
Capacitance=0.15μF
Edc=25V
T.C.=X8R
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
High Temp. (Up to 150ºC)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA3E3X8R1E224K080AB
Capacitance=0.22μF
Edc=25V
T.C.=X8R
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
High Temp. (Up to 150ºC)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA4J2X8R1H104K125AE
Capacitance=0.1μF
Edc=50V
T.C.=X8R
LxWxT:2x1.25x1.25mm
Soft termination
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA6P1X8L1C226M250AC
Capacitance=22μF
Edc=16V
T.C.=X8L
LxWxT:3.2x2.5x2mm
High Temp. (Up to 150ºC)
AEC-Q200
EMI抑制コンデンサ
B32926D3156K000
15uF, 305Vrms AC
33m(W) x 48m(H) x 42m(L)
チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
B72510E1140S262
Maximum continuous voltage=16V
Maximum Clamping Voltage (8/20μs)=42V
