積層セラミックチップコンデンサ
CGA3E3X8R1H104M080AD
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寸法
| 長さ(L) |
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| 幅(W) |
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| 厚み(T) |
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| 端子幅(B) |
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| 端子間隔(G) |
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| 推奨ランドパターン(PA) |
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| 推奨ランドパターン(PB) |
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| 推奨ランドパターン(PC) |
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電気的特性
| 静電容量 |
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| 定格電圧 |
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| 温度特性 |
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| 誘電正接 (Max.) |
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| 絶縁抵抗 (Min.) |
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その他
| 使用温度範囲 |
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| はんだ付け方法 |
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| AEC-Q200 |
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| 包装形態 |
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| 梱包数 |
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製品情報
技術支援ツール
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特性グラフ
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積層セラミックチップコンデンサ
C1608X7R1H102K080AA
Capacitance=1nF
Edc=50V
T.C.=X7R
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
General
積層セラミックチップコンデンサ
C1608X7R1V105K080AC
Capacitance=1μF
Edc=35V
T.C.=X7R
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
General
積層セラミックチップコンデンサ
CGA2B2C0G1H821J050BA
Capacitance=820pF
Edc=50V
T.C.=C0G
LxWxT:1x0.5x0.5mm
General
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA3E2X7R1H152K080AA
Capacitance=1.5nF
Edc=50V
T.C.=X7R
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
General
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA3E2X7R1H473K080AD
Capacitance=47nF
Edc=50V
T.C.=X7R
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
Conductive Epoxy
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA5L1X7R1E106K160AC
Capacitance=10μF
Edc=25V
T.C.=X7R
LxWxT:3.2x1.6x1.6mm
General
AEC-Q200
EMI抑制コンデンサ
B32922X2104K000
0.1uF, 275Vrms AC
5m(W) x 10.5m(H) x 18m(L)
インダクタ(コイル)
SPM6550T-220M-HZR
L=22μH
Rated current=2.8A
L x W x T :
7.1 x 6.5 x 5mm
チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
AVR-M1005C080MTACB
Maximum continuous voltage [DC]=5.5V
Maximum Clamping Voltage (8/20uS)=19V