積層セラミックチップコンデンサ
CGA4J1X8L1E475K125AC
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寸法
| 長さ(L) |
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| 幅(W) |
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| 厚み(T) |
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| 端子幅(B) |
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| 端子間隔(G) |
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| 推奨ランドパターン(PA) |
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| 推奨ランドパターン(PB) |
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| 推奨ランドパターン(PC) |
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電気的特性
| 静電容量 |
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| 定格電圧 |
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| 温度特性 |
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| 誘電正接 (Max.) |
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| 絶縁抵抗 (Min.) |
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その他
| 使用温度範囲 |
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| はんだ付け方法 |
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| AEC-Q200 |
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| 包装形態 |
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| 梱包数 |
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| FIT (Failure In Time) |
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積層セラミックチップコンデンサ
CGA2B2X8R1H221K050BD
Capacitance=220pF
Edc=50V
T.C.=X8R
LxWxT:1x0.5x0.5mm
Conductive Epoxy
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA2B2X8R2A151M050BA
Capacitance=150pF
Edc=100V
T.C.=X8R
LxWxT:1x0.5x0.5mm
High Temp. (Up to 150ºC)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA3E2NP01H472J080AA
Capacitance=4.7nF
Edc=50V
T.C.=NP0
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
High Temp. (Up to 150ºC)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA4J1X8L1E475K125AE
Capacitance=4.7μF
Edc=25V
T.C.=X8L
LxWxT:2x1.25x1.25mm
Soft termination
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA5L1X8L1E106K160AC
Capacitance=10μF
Edc=25V
T.C.=X8L
LxWxT:3.2x1.6x1.6mm
High Temp. (Up to 150ºC)
積層セラミックチップコンデンサ
CGA5L3X7S2A225M160AE
Capacitance=2.2μF
Edc=100V
T.C.=X7S
LxWxT:3.2x1.6x1.6mm
Soft termination
AEC-Q200
アキシャルコンデンサ
B41689B8827Q001
820µF/63V DC
18mm dia x 35mm length
インダクタ(コイル)
CLF6045NIT-221M-D
L=220μH
Rated current=0.47A
L x W x T :
6.3 x 6 x 4.5mm
リード付きディスクバリスタ
B72214P2551K101
Max. Operating Voltage [AC]=550Vrms
Max. Surge Current Imax(8/20μs,1time)=6000A
リード付きディスクバリスタ
B72214S0200K101
Max. Operating Voltage [AC]=20Vrms
Max. Surge Current Imax(8/20μs,1time)=1000A