積層セラミックチップコンデンサ
CGA4J1X8L1E475K125AC
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寸法
長さ(L) |
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幅(W) |
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厚み(T) |
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端子幅(B) |
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端子間隔(G) |
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推奨ランドパターン(PA) |
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推奨ランドパターン(PB) |
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推奨ランドパターン(PC) |
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電気的特性
静電容量 |
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定格電圧 |
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温度特性 |
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誘電正接 (Max.) |
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絶縁抵抗 (Min.) |
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その他
使用温度範囲 |
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はんだ付け方法 |
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AEC-Q200 |
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包装形態 |
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梱包数 |
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製品情報
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特性グラフ (参考データであり、製品の特性を保証するものではありません。)
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積層セラミックチップコンデンサ
CGA2B2NP01H331J050BA
Capacitance=330pF
Edc=50V
T.C.=NP0
LxWxT:1x0.5x0.5mm
High Temp. (Up to 150ºC)
AEC-Q200

積層セラミックチップコンデンサ
CGA2B2NP01H471J050BA
Capacitance=470pF
Edc=50V
T.C.=NP0
LxWxT:1x0.5x0.5mm
High Temp. (Up to 150ºC)
AEC-Q200

積層セラミックチップコンデンサ
CGA2B2X8R1H102K050BA
Capacitance=1nF
Edc=50V
T.C.=X8R
LxWxT:1x0.5x0.5mm
High Temp. (Up to 150ºC)
AEC-Q200

積層セラミックチップコンデンサ
CGA3E2NP01H331J080AA
Capacitance=330pF
Edc=50V
T.C.=NP0
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
High Temp. (Up to 150ºC)
AEC-Q200

積層セラミックチップコンデンサ
CGA4J1X8L1E475K125AE
Capacitance=4.7μF
Edc=25V
T.C.=X8L
LxWxT:2x1.25x1.25mm
Soft termination
AEC-Q200

積層セラミックチップコンデンサ
CGA4J3X8R1C684K125AB
Capacitance=0.68μF
Edc=16V
T.C.=X8R
LxWxT:2x1.25x1.25mm
High Temp. (Up to 150ºC)
AEC-Q200

リード付きディスクバリスタ
B72214S0111K101
Max. Operating Voltage [AC]=115Vrms
Max. Surge Current Imax(8/20μs,1time)=4500A

リード付きディスクバリスタ
B72214S0170K101
Max. Operating Voltage [AC]=17Vrms
Max. Surge Current Imax(8/20μs,1time)=1000A

リード付きディスクバリスタ
B72214S2681K101
Max. Operating Voltage [AC]=680Vrms
Max. Surge Current Imax(8/20μs,1time)=5000A

リード付きディスクバリスタ
B72220P3351K101
Max. Operating Voltage [AC]=350Vrms
Max. Surge Current Imax(8/20μs,1time)=12000A