積層セラミックチップコンデンサ
CGA4J1X8L1H684K125AC
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寸法
| 長さ(L) |
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| 幅(W) |
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| 厚み(T) |
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| 端子幅(B) |
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| 端子間隔(G) |
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| 推奨ランドパターン(PA) |
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| 推奨ランドパターン(PB) |
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| 推奨ランドパターン(PC) |
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電気的特性
| 静電容量 |
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| 定格電圧 |
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| 温度特性 |
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| 誘電正接 (Max.) |
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| 絶縁抵抗 (Min.) |
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その他
| 使用温度範囲 |
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| はんだ付け方法 |
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| AEC-Q200 |
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| 包装形態 |
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| 梱包数 |
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| FIT (Failure In Time) |
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特性グラフ
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積層セラミックチップコンデンサ
CGA3E2C0G1H470J080AA
Capacitance=47pF
Edc=50V
T.C.=C0G
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
General
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA3E2X7R1H104K080AA
Capacitance=0.1μF
Edc=50V
T.C.=X7R
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
General
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA3E2X7R1H104K080AD
Capacitance=0.1μF
Edc=50V
T.C.=X7R
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
Conductive Epoxy
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA3E2X7R1H104K080AE
Capacitance=0.1μF
Edc=50V
T.C.=X7R
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
Soft termination
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA3E2X7R1H333K080AA
Capacitance=33nF
Edc=50V
T.C.=X7R
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
General
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA3E2X7R2A102M080AA
Capacitance=1nF
Edc=100V
T.C.=X7R
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
Mid Volt. (100 to 630V)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA3E2X7R2A103K080AA
Capacitance=10nF
Edc=100V
T.C.=X7R
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
Mid Volt. (100 to 630V)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA3E3X7R1H334K080AB
Capacitance=0.33μF
Edc=50V
T.C.=X7R
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
General
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA4J1X8L1H105K125AC
Capacitance=1μF
Edc=50V
T.C.=X8L
LxWxT:2x1.25x1.25mm
High Temp. (Up to 150ºC)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA4J1X8L1H474K125AC
Capacitance=0.47μF
Edc=50V
T.C.=X8L
LxWxT:2x1.25x1.25mm
High Temp. (Up to 150ºC)
AEC-Q200