積層セラミックチップコンデンサ
CGA5L3X8R1C475K160AD
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寸法
| 長さ(L) |
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| 幅(W) |
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| 厚み(T) |
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| 端子幅(B) |
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| 端子間隔(G) |
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| 推奨ランドパターン(PA) |
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| 推奨ランドパターン(PB) |
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| 推奨ランドパターン(PC) |
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電気的特性
| 静電容量 |
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| 定格電圧 |
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| 温度特性 |
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| 誘電正接 (Max.) |
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| 絶縁抵抗 (Min.) |
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その他
| 使用温度範囲 |
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| はんだ付け方法 |
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| AEC-Q200 |
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| 包装形態 |
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| 梱包数 |
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製品情報
技術支援ツール
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特性グラフ
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積層セラミックチップコンデンサ
C3216X7R1E475K160AC
Capacitance=4.7μF
Edc=25V
T.C.=X7R
LxWxT:3.2x1.6x1.6mm
General
積層セラミックチップコンデンサ
CGA3E2X7R1H104K080AA
Capacitance=0.1μF
Edc=50V
T.C.=X7R
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
General
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA3E2X8R1E104K080AA
Capacitance=0.1μF
Edc=25V
T.C.=X8R
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
High Temp. (Up to 150ºC)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA5L2X8R1E105K160AA
Capacitance=1μF
Edc=25V
T.C.=X8R
LxWxT:3.2x1.6x1.6mm
High Temp. (Up to 150ºC)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA5L3X8R1C475K160AB
Capacitance=4.7μF
Edc=16V
T.C.=X8R
LxWxT:3.2x1.6x1.6mm
High Temp. (Up to 150ºC)
AEC-Q200
IGBT/FET用トランス
VGT15SEFD-250S4A7
Flyback transformer (Centralized), 4 outputs
2.6μH, TR=1:3:3:3:3:3
AC入力電源(AC-DCコンバータ)
HWS150A-24/R
Unit type, Output: 156W, 24V
Option: Remote ON/OFF