積層セラミックチップコンデンサ

CGBDT1X6S0G105M022BC

製品ステータス
量産体制
納入品番 品番についての「よくある質問」はこちらを参照してください
CGBDT1X6S0G105MT****
用途
一般グレード
特徴
LowT低背品
L⇔W低ESL フリップ
シリーズ
CGBD(0510) [EIA 0204]
ブランド
TDK
環境対応 このアイコンについて詳しく知る
RoHSReachHalogen FreePb Free

製品画像は代表的な製品を表示しています。

寸法

長さ(L)
0.52mm ±0.05mm
幅(W)
1.00mm ±0.05mm
厚み(T)
0.22mm Max.
端子幅(B)
0.10mm Min.
推奨ランドパターン(PA)
0.20mm Nom.
推奨ランドパターン(PB)
0.20mm Nom.
推奨ランドパターン(PC)
1.00mm Nom.

電気的特性

静電容量
1μF ±20%
定格電圧
4VDC
温度特性
X6S(±22%)
誘電正接 (Max.)
10%
絶縁抵抗 (Min.)
100MΩ

その他

使用温度範囲
-55~105°C
はんだ付け方法
リフロー
AEC-Q200
NO
包装形態
紙テーピング(180mm リール)
梱包数
15000pcs

製品情報

すべて閉じる すべて開く

3rd Party ECAD models

特性グラフ

参考データであり、製品の特性を保証するものではありません。

グラフをローディング中...

この製品を見た人はこれらの製品も見ています

積層セラミックチップコンデンサ

CGA6M3X7R2E224M200AE

Capacitance=0.22μF
Edc=250V
T.C.=X7R

LxWxT:3.2x2.5x2mm
Soft termination
AEC-Q200

積層セラミックチップコンデンサ

CGA6M3X8R2A474M200AB

Capacitance=0.47μF
Edc=100V
T.C.=X8R

LxWxT:3.2x2.5x2mm
High Temp. (Up to 150ºC)
AEC-Q200

積層セラミックチップコンデンサ

CGA6M4X7T2W224M200AA

Capacitance=0.22μF
Edc=450V
T.C.=X7T

LxWxT:3.2x2.5x2mm
Mid Volt. (100 to 630V)
AEC-Q200

積層セラミックチップコンデンサ

CGA7K1X7R3D102M130KA

Capacitance=1nF
Edc=2000V
T.C.=X7R

LxWxT:4.5x2x1.3mm
High Volt. (1000V and over)
AEC-Q200

積層セラミックチップコンデンサ

CGA7L1C0G3F330K160KA

Capacitance=33pF
Edc=3000V
T.C.=C0G

LxWxT:4.5x2x1.6mm
High Volt. (1000V and over)
AEC-Q200

積層セラミックチップコンデンサ

CGA8N4X7T2W474M230KE

Capacitance=0.47μF
Edc=450V
T.C.=X7T

LxWxT:4.5x3.2x2.3mm
Soft termination
AEC-Q200

積層セラミックチップコンデンサ

CGA8R4NP02J473J320KA

Capacitance=47nF
Edc=630V
T.C.=NP0

LxWxT:4.5x3.2x3.2mm
Mid Volt. (100 to 630V)
AEC-Q200

積層セラミックチップコンデンサ

CGA9P1X7T2J474K250KE

Capacitance=0.47μF
Edc=630V
T.C.=X7T

LxWxT:5.7x5x2.5mm
Soft termination
AEC-Q200

積層セラミックチップコンデンサ

CGA9Q4NP02W104J280KA

Capacitance=0.1μF
Edc=450V
T.C.=NP0

LxWxT:5.7x5x2.8mm
Mid Volt. (100 to 630V)
AEC-Q200

積層セラミックチップコンデンサ

CGAEW1X7T0G104M020BC

Capacitance=100nF
Edc=4V
T.C.=X7T

LxWxT:0.5x1x0.2mm
Low ESL reverse geometry
AEC-Q200