積層セラミックチップコンデンサ
CGBDT1X6S0G105M022BC
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寸法
| 長さ(L) |
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| 幅(W) |
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| 厚み(T) |
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| 端子幅(B) |
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| 推奨ランドパターン(PA) |
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| 推奨ランドパターン(PB) |
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| 推奨ランドパターン(PC) |
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電気的特性
| 静電容量 |
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| 定格電圧 |
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| 温度特性 |
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| 誘電正接 (Max.) |
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| 絶縁抵抗 (Min.) |
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その他
| 使用温度範囲 |
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| はんだ付け方法 |
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| AEC-Q200 |
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| 包装形態 |
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| 梱包数 |
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製品情報
ドキュメント
技術支援ツール
特性グラフ
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積層セラミックチップコンデンサ
CGA6M3X7R2E224M200AE
Capacitance=0.22μF
Edc=250V
T.C.=X7R
LxWxT:3.2x2.5x2mm
Soft termination
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA6M3X8R2A474M200AB
Capacitance=0.47μF
Edc=100V
T.C.=X8R
LxWxT:3.2x2.5x2mm
High Temp. (Up to 150ºC)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA6M4X7T2W224M200AA
Capacitance=0.22μF
Edc=450V
T.C.=X7T
LxWxT:3.2x2.5x2mm
Mid Volt. (100 to 630V)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA7K1X7R3D102M130KA
Capacitance=1nF
Edc=2000V
T.C.=X7R
LxWxT:4.5x2x1.3mm
High Volt. (1000V and over)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA7L1C0G3F330K160KA
Capacitance=33pF
Edc=3000V
T.C.=C0G
LxWxT:4.5x2x1.6mm
High Volt. (1000V and over)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA8N4X7T2W474M230KE
Capacitance=0.47μF
Edc=450V
T.C.=X7T
LxWxT:4.5x3.2x2.3mm
Soft termination
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA8R4NP02J473J320KA
Capacitance=47nF
Edc=630V
T.C.=NP0
LxWxT:4.5x3.2x3.2mm
Mid Volt. (100 to 630V)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA9Q4NP02W104J280KA
Capacitance=0.1μF
Edc=450V
T.C.=NP0
LxWxT:5.7x5x2.8mm
Mid Volt. (100 to 630V)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGAEW1X7T0G104M020BC
Capacitance=100nF
Edc=4V
T.C.=X7T
LxWxT:0.5x1x0.2mm
Low ESL reverse geometry
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CKG45KC0G2J333J290JH
Capacitance=33nF
Edc=630V
T.C.=C0G
LxWxT:5x3.5x2.9mm
MEGACAP type