積層セラミックチップコンデンサ
CKG57KX7R2A335K335JJ
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寸法
| 長さ(L) |
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| 幅(W) |
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| 厚み(T) |
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| 金属端子幅(E) |
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| 推奨ランドパターン(PA) |
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| 推奨ランドパターン(PB) |
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| 推奨ランドパターン(PC) |
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電気的特性
| 静電容量 |
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| 定格電圧 |
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温度特性
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| 誘電正接 (Max.) |
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| 絶縁抵抗 (Min.) |
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その他
| 使用温度範囲 |
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| はんだ付け方法 |
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| AEC-Q200 |
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| 包装形態 |
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| 梱包数 |
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| FIT (Failure In Time) |
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製品情報
ドキュメント
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特性グラフ
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積層セラミックチップコンデンサ
CGA6P3X8R2A684M250AB
Capacitance=0.68μF
Edc=100V
T.C.=X8R
LxWxT:3.2x2.5x2.5mm
High Temp. (Up to 150ºC)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA7K1X7R3D102M130KA
Capacitance=1nF
Edc=2000V
T.C.=X7R
LxWxT:4.5x2x1.3mm
High Volt. (1000V and over)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA7L1C0G3F330K160KA
Capacitance=33pF
Edc=3000V
T.C.=C0G
LxWxT:4.5x2x1.6mm
High Volt. (1000V and over)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA7M1C0G3F680K200KA
Capacitance=68pF
Edc=3000V
T.C.=C0G
LxWxT:4.5x2x2mm
High Volt. (1000V and over)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA8R4NP02J473J320KA
Capacitance=47nF
Edc=630V
T.C.=NP0
LxWxT:4.5x3.2x3.2mm
Mid Volt. (100 to 630V)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA9N2X7R2A335K230KA
Capacitance=3.3μF
Edc=100V
T.C.=X7R
LxWxT:5.7x5x2.3mm
Mid Volt. (100 to 630V)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA9N4C0G2E154J230KN
Capacitance=0.15μF
Edc=250V
T.C.=C0G
LxWxT:5.7x5x2.3mm
Mid Volt. (100 to 630V)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA9P3X7T2E225M250KE
Capacitance=2.2μF
Edc=250V
T.C.=X7T
LxWxT:5.7x5x2.5mm
Soft termination
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA9Q4NP02W104J280KA
Capacitance=0.1μF
Edc=450V
T.C.=NP0
LxWxT:5.7x5x2.8mm
Mid Volt. (100 to 630V)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGBDT1X6S0G105M022BC
Capacitance=1μF
Edc=4V
T.C.=X6S
LxWxT:0.52x1xmm
Low ESL reverse geometry
