積層セラミックチップコンデンサ
CNA6P1C0G3A123G250AE
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寸法
| 長さ(L) |
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| 幅(W) |
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| 厚み(T) |
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| 端子幅(B) |
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| 推奨ランドパターン(PA) |
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| 推奨ランドパターン(PB) |
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| 推奨ランドパターン(PC) |
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| 推奨スリットパターン(SD) |
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電気的特性
| 静電容量 |
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| 定格電圧 |
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温度特性
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| Q (Min.) |
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| 絶縁抵抗 (Min.) |
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| 許容電圧 |
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| 許容電流 |
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その他
| 使用温度範囲 |
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| はんだ付け方法 |
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| AEC-Q200 |
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| 包装形態 |
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| 梱包数 |
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| FIT (Failure In Time) |
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積層セラミックチップコンデンサ
C0510X6S0J474M030BC
Capacitance=470nF
Edc=6.3V
T.C.=X6S
LxWxT:0.52x1x0.3mm
Low ESL reverse geometry
積層セラミックチップコンデンサ
C0510X7S0G474M030BC
Capacitance=470nF
Edc=4V
T.C.=X7S
LxWxT:0.52x1x0.3mm
Low ESL reverse geometry
積層セラミックチップコンデンサ
C1005NP01H030C050BA
Capacitance=3pF
Edc=50V
T.C.=NP0
LxWxT:1x0.5x0.5mm
High Temp. (Up to 150ºC)
積層セラミックチップコンデンサ
CGA6M1C0G3A392G200AE
Capacitance=3.9nF
Edc=1000V
T.C.=C0G
LxWxT:3.2x2.5x2mm
Soft termination
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA6M1C0G3A562G200AE
Capacitance=5.6nF
Edc=1000V
T.C.=C0G
LxWxT:3.2x2.5x2mm
Soft termination
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA6P1C0G3A123G250AC
Capacitance=12nF
Edc=1000V
T.C.=C0G
LxWxT:3.2x2.5x2.5mm
High Volt. (1000V and over)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA6P1C0G3A123J250AC
Capacitance=12nF
Edc=1000V
T.C.=C0G
LxWxT:3.2x2.5x2.5mm
High Volt. (1000V and over)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA6P1C0G3A153G250AC
Capacitance=15nF
Edc=1000V
T.C.=C0G
LxWxT:3.2x2.5x2.5mm
High Volt. (1000V and over)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA6P1C0G3A153J250AC
Capacitance=15nF
Edc=1000V
T.C.=C0G
LxWxT:3.2x2.5x2.5mm
High Volt. (1000V and over)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA6P1C0G3A183G250AC
Capacitance=18nF
Edc=1000V
T.C.=C0G
LxWxT:3.2x2.5x2.5mm
High Volt. (1000V and over)
AEC-Q200
