CeraDiode®
B72590D0050H160
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寸法
| L x W 寸法 |
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| 厚み | 高さ |
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| その他詳細 |
電気的特性
| 最大使用電圧 [DC] |
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| 絶縁破壊電圧 |
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| 最大リーク電流 |
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| 制限電圧 @1A |
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| 静電容量 (Typ.) |
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その他
| 使用温度範囲 |
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| はんだ付け方法 | |
| 包装形態 |
製品情報
ドキュメント
技術支援ツール
3rd Party ECAD models
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SnapMagic
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積層セラミックチップコンデンサ
C1005X6S1A684K050BC
Capacitance=0.68μF
Edc=10V
T.C.=X6S
LxWxT:1x0.5x0.5mm
General
積層セラミックチップコンデンサ
C1005X6S1E154K050BC
Capacitance=0.15μF
Edc=25V
T.C.=X6S
LxWxT:1x0.5x0.5mm
General
積層セラミックチップコンデンサ
C1005X8R1C333K050BB
Capacitance=33nF
Edc=16V
T.C.=X8R
LxWxT:1x0.5x0.5mm
High Temp. (Up to 150ºC)
積層セラミックチップコンデンサ
C1005X8R2A152K050BA
Capacitance=1.5nF
Edc=100V
T.C.=X8R
LxWxT:1x0.5x0.5mm
High Temp. (Up to 150ºC)
積層セラミックチップコンデンサ
C1608C0G1H040C080AA
Capacitance=4pF
Edc=50V
T.C.=C0G
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
General
積層セラミックチップコンデンサ
C5750X7R2A155K230KM
Capacitance=1.5μF
Edc=100V
T.C.=X7R
LxWxT:5.7x5x2.3mm
Open mode
積層セラミックチップコンデンサ
CGA2B3X8R1H682K050BB
Capacitance=6.8nF
Edc=50V
T.C.=X8R
LxWxT:1x0.5x0.5mm
High Temp. (Up to 150ºC)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA3E2C0G1H391J080AD
Capacitance=390pF
Edc=50V
T.C.=C0G
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
Conductive Epoxy
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA3E2C0G1H560J080AD
Capacitance=56pF
Edc=50V
T.C.=C0G
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
Conductive Epoxy
AEC-Q200
インダクタ(コイル)
MLF2012DR82MTD25
L=0.82μH
Rated current=150mA
L x W x T :
2 x 1.25 x 1.25mm
