積層セラミックチップコンデンサ
CGA2B3X7R1H683K050BD
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寸法
| 長さ(L) |
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| 幅(W) |
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| 厚み(T) |
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| 端子幅(B) |
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| 端子間隔(G) |
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| 推奨ランドパターン(PA) |
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| 推奨ランドパターン(PB) |
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| 推奨ランドパターン(PC) |
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電気的特性
| 静電容量 |
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| 定格電圧 |
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| 温度特性 |
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| 誘電正接 (Max.) |
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| 絶縁抵抗 (Min.) |
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その他
| 使用温度範囲 |
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| はんだ付け方法 |
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| AEC-Q200 |
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| 包装形態 |
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| 梱包数 |
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製品情報
技術支援ツール
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特性グラフ
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積層セラミックチップコンデンサ
CGA2B3X7R1H103K050BD
Capacitance=10nF
Edc=50V
T.C.=X7R
LxWxT:1x0.5x0.5mm
Conductive Epoxy
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA2B3X7R1H104K050BD
Capacitance=0.1μF
Edc=50V
T.C.=X7R
LxWxT:1x0.5x0.5mm
Conductive Epoxy
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA2B3X7R1H473K050BD
Capacitance=47nF
Edc=50V
T.C.=X7R
LxWxT:1x0.5x0.5mm
Conductive Epoxy
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA2B3X7R1H683K050BB
Capacitance=68nF
Edc=50V
T.C.=X7R
LxWxT:1x0.5x0.5mm
General
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA3E2C0G1H330J080AA
Capacitance=33pF
Edc=50V
T.C.=C0G
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
General
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA5L3X8R1H105K160AD
Capacitance=1μF
Edc=50V
T.C.=X8R
LxWxT:3.2x1.6x1.6mm
Conductive Epoxy
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA5L3X8R1H684K160AD
Capacitance=0.68μF
Edc=50V
T.C.=X8R
LxWxT:3.2x1.6x1.6mm
Conductive Epoxy
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA6M2X7R1H155K200AD
Capacitance=1.5μF
Edc=50V
T.C.=X7R
LxWxT:3.2x2.5x2mm
Conductive Epoxy
AEC-Q200
チップビーズ
MMZ1608B121CTDH5
|Z|=120Ω at 100MHz
Rated current=600mA
L x W x T :
1.6mm x 0.8mm x 0.6mm