積層セラミックチップコンデンサ
CGA3E2NP02A332J080AA
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寸法
長さ(L) |
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幅(W) |
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厚み(T) |
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端子幅(B) |
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端子間隔(G) |
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推奨ランドパターン(PA) |
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推奨ランドパターン(PB) |
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推奨ランドパターン(PC) |
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電気的特性
静電容量 |
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定格電圧 |
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温度特性 |
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Q (Min.) |
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絶縁抵抗 (Min.) |
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許容電圧 |
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許容電流 |
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その他
使用温度範囲 |
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はんだ付け方法 |
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AEC-Q200 |
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包装形態 |
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梱包数 |
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製品情報
ドキュメント
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特性グラフ (参考データであり、製品の特性を保証するものではありません。)
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積層セラミックチップコンデンサ
CGA2B3X8R2A332K050BB
Capacitance=3.3nF
Edc=100V
T.C.=X8R
LxWxT:1x0.5x0.5mm
High Temp. (Up to 150ºC)
AEC-Q200

積層セラミックチップコンデンサ
CGA3E2NP01H332J080AA
Capacitance=3.3nF
Edc=50V
T.C.=NP0
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
High Temp. (Up to 150ºC)
AEC-Q200

積層セラミックチップコンデンサ
CGA3E2NP02A221J080AA
Capacitance=220pF
Edc=100V
T.C.=NP0
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
High Temp. (Up to 150ºC)
AEC-Q200

積層セラミックチップコンデンサ
CGA3E2NP02A222J080AA
Capacitance=2.2nF
Edc=100V
T.C.=NP0
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
High Temp. (Up to 150ºC)
AEC-Q200

積層セラミックチップコンデンサ
CGA3E2NP02A330J080AA
Capacitance=33pF
Edc=100V
T.C.=NP0
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
High Temp. (Up to 150ºC)
AEC-Q200

積層セラミックチップコンデンサ
CGA3E2X7R2A472M080AA
Capacitance=4.7nF
Edc=100V
T.C.=X7R
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
Mid Volt. (100 to 630V)
AEC-Q200

積層セラミックチップコンデンサ
CGA3E2X8R1H103K080AD
Capacitance=10nF
Edc=50V
T.C.=X8R
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
Conductive Epoxy
AEC-Q200

積層セラミックチップコンデンサ
CGA3E2X8R1H222K080AE
Capacitance=2.2nF
Edc=50V
T.C.=X8R
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
Soft termination
AEC-Q200

積層セラミックチップコンデンサ
CGA3E3X5R1E105M080AB
Capacitance=1μF
Edc=25V
T.C.=X5R
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
General
AEC-Q200

積層セラミックチップコンデンサ
CGA3EANP02A332J080AC
Capacitance=3.3nF
Edc=100V
T.C.=NP0
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
ESD Protection
AEC-Q200