積層セラミックチップコンデンサ
CGA4J1X8L1H105K125AC
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寸法
| 長さ(L) |
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| 幅(W) |
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| 厚み(T) |
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| 端子幅(B) |
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| 端子間隔(G) |
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| 推奨ランドパターン(PA) |
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| 推奨ランドパターン(PB) |
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| 推奨ランドパターン(PC) |
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電気的特性
| 静電容量 |
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| 定格電圧 |
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温度特性
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| 誘電正接 (Max.) |
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| 絶縁抵抗 (Min.) |
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その他
| 使用温度範囲 |
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| はんだ付け方法 |
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| AEC-Q200 |
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| 包装形態 |
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| 梱包数 |
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| FIT (Failure In Time) |
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ドキュメント
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3rd Party ECAD models
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特性グラフ
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積層セラミックチップコンデンサ
C2012X8L1E225K125AB
Capacitance=2.2μF
Edc=25V
T.C.=X8L
LxWxT:2x1.25x1.25mm
High Temp. (Up to 150ºC)
積層セラミックチップコンデンサ
C3225X8L1H475K200AC
Capacitance=4.7μF
Edc=50V
T.C.=X8L
LxWxT:3.2x2.5x2mm
High Temp. (Up to 150ºC)
積層セラミックチップコンデンサ
C4532CH3F101K160KA
Capacitance=100pF
Edc=3000V
T.C.=CH
LxWxT:4.5x3.2x1.6mm
High Volt. (1000V and over)
積層セラミックチップコンデンサ
CGA3E1X8L1C105K080AC
Capacitance=1μF
Edc=16V
T.C.=X8L
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
High Temp. (Up to 150ºC)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA3E2NP01H102J080AA
Capacitance=1nF
Edc=50V
T.C.=NP0
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
High Temp. (Up to 150ºC)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA3E2X8R1H102K080AA
Capacitance=1nF
Edc=50V
T.C.=X8R
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
High Temp. (Up to 150ºC)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA3E3X8R1E154K080AB
Capacitance=0.15μF
Edc=25V
T.C.=X8R
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
High Temp. (Up to 150ºC)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA3E3X8R1H104K080AB
Capacitance=0.1μF
Edc=50V
T.C.=X8R
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
High Temp. (Up to 150ºC)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA4J1X7R1E155K125AD
Capacitance=1.5μF
Edc=25V
T.C.=X7R
LxWxT:2x1.25x1.25mm
Conductive Epoxy
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA4J1X8L1A106K125AC
Capacitance=10μF
Edc=10V
T.C.=X8L
LxWxT:2x1.25x1.25mm
High Temp. (Up to 150ºC)
