積層セラミックチップコンデンサ
CGA3E2C0G1H822J080AE
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寸法
| 長さ(L) |
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| 幅(W) |
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| 厚み(T) |
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| 端子幅(B) |
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| 端子間隔(G) |
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| 推奨ランドパターン(PA) |
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| 推奨ランドパターン(PB) |
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| 推奨ランドパターン(PC) |
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電気的特性
| 静電容量 |
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| 定格電圧 |
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| 温度特性 |
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| Q (Min.) |
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| 絶縁抵抗 (Min.) |
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| 許容電圧 |
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| 許容電流 |
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その他
| 使用温度範囲 |
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| はんだ付け方法 |
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| AEC-Q200 |
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| 包装形態 |
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| 梱包数 |
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製品情報
ドキュメント
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特性グラフ
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積層セラミックチップコンデンサ
C1608C0G1H103J080AA
Capacitance=10nF
Edc=50V
T.C.=C0G
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
General
積層セラミックチップコンデンサ
C1608C0G2A103J080AE
Capacitance=10nF
Edc=100V
T.C.=C0G
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
Soft termination
積層セラミックチップコンデンサ
C1608C0G2A472J080AE
Capacitance=4.7nF
Edc=100V
T.C.=C0G
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
Soft termination
積層セラミックチップコンデンサ
C3216X7R2A475K160AC
Capacitance=4.7μF
Edc=100V
T.C.=X7R
LxWxT:3.2x1.6x1.6mm
Mid Volt. (100 to 630V)
積層セラミックチップコンデンサ
CGA3E2C0G1H822J080AA
Capacitance=8.2nF
Edc=50V
T.C.=C0G
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
General
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA4J3X7S1A106K125AB
Capacitance=10μF
Edc=10V
T.C.=X7S
LxWxT:2x1.25x1.25mm
General
AEC-Q200
インダクタ(コイル)
LTF4022T-1R2N-D
L=1.2μH
Rated current=2.8A
L x W x T :
5.5 x 4.0 x 2.2mm
インダクタ(コイル)
LTF4022T-470M-D
L=47μH
Rated current=0.46A
L x W x T :
5.5 x 4.0 x 2.2mm
チップNTCサーミスタ(センサ)
B57352V5473H060
Resistance (at 25°C)=47kΩ
Resistance Tolerance (at 25°C)=±5%
高電圧リレー
B88269X3210C011
Nominal coil voltage=12V DC
Continuous operating current=250