積層セラミックチップコンデンサ
CGA5L3X8R1H105M160AD
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寸法
| 長さ(L) |
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| 幅(W) |
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| 厚み(T) |
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| 端子幅(B) |
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| 端子間隔(G) |
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| 推奨ランドパターン(PA) |
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| 推奨ランドパターン(PB) |
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| 推奨ランドパターン(PC) |
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電気的特性
| 静電容量 |
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| 定格電圧 |
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| 温度特性 |
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| 誘電正接 (Max.) |
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| 絶縁抵抗 (Min.) |
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その他
| 使用温度範囲 |
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| はんだ付け方法 |
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| AEC-Q200 |
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| 包装形態 |
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| 梱包数 |
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製品情報
技術支援ツール
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特性グラフ
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積層セラミックチップコンデンサ
C3216X7R1H105K160AB
Capacitance=1μF
Edc=50V
T.C.=X7R
LxWxT:3.2x1.6x1.6mm
General
積層セラミックチップコンデンサ
C3225C0G3A103J250AC
Capacitance=10nF
Edc=1000V
T.C.=C0G
LxWxT:3.2x2.5x2.5mm
High Volt. (1000V and over)
積層セラミックチップコンデンサ
CGA5L2X7R1E105K160AA
Capacitance=1μF
Edc=25V
T.C.=X7R
LxWxT:3.2x1.6x1.6mm
General
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA5L3X7R1H475K160AB
Capacitance=4.7μF
Edc=50V
T.C.=X7R
LxWxT:3.2x1.6x1.6mm
General
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA6P1C0G3A103J250AC
Capacitance=10nF
Edc=1000V
T.C.=C0G
LxWxT:3.2x2.5x2.5mm
High Volt. (1000V and over)
AEC-Q200
リード付きディスクバリスタ
B72214P2351K101
Max. Operating Voltage [AC]=350Vrms
Max. Surge Current Imax(8/20μs,1time)=6000A