積層セラミックチップコンデンサ
CGA8R4NP02E104J320KN
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寸法
| 長さ(L) |
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| 幅(W) |
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| 厚み(T) |
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| 端子幅(B) |
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| 推奨ランドパターン(PA) |
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| 推奨ランドパターン(PB) |
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| 推奨ランドパターン(PC) |
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電気的特性
| 静電容量 |
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| 定格電圧 |
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| 温度特性 |
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| Q (Min.) |
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| 絶縁抵抗 (Min.) |
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| 許容電圧 |
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| 許容電流 |
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その他
| 使用温度範囲 |
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| はんだ付け方法 |
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| AEC-Q200 |
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| 包装形態 |
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| 梱包数 |
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| FIT (Failure In Time) |
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製品情報
ドキュメント
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特性グラフ
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積層セラミックチップコンデンサ
C4532C0G2E104J320KN
Capacitance=0.1μF
Edc=250V
T.C.=C0G
LxWxT:4.5x3.2x3.2mm
Mid Volt. (100 to 630V)
積層セラミックチップコンデンサ
C4532C0G2E104K320KN
Capacitance=0.1μF
Edc=250V
T.C.=C0G
LxWxT:4.5x3.2x3.2mm
Mid Volt. (100 to 630V)
積層セラミックチップコンデンサ
C4532C0G2J822J160KA
Capacitance=8.2nF
Edc=630V
T.C.=C0G
LxWxT:4.5x3.2x1.6mm
Mid Volt. (100 to 630V)
積層セラミックチップコンデンサ
C4532X7R3A103K200KA
Capacitance=10nF
Edc=1000V
T.C.=X7R
LxWxT:4.5x3.2x2mm
High Volt. (1000V and over)
積層セラミックチップコンデンサ
C4532X7R3D222K130KA
Capacitance=2.2nF
Edc=2000V
T.C.=X7R
LxWxT:4.5x3.2x1.3mm
High Volt. (1000V and over)
積層セラミックチップコンデンサ
CGA3E3NP02E102J080AA
Capacitance=1nF
Edc=250V
T.C.=NP0
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
Mid Volt. (100 to 630V)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA4F3X7S2A224M085AE
Capacitance=0.22μF
Edc=100V
T.C.=X7S
LxWxT:2x1.25x0.85mm
Soft termination
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA5H2X8R2A104K115AA
Capacitance=0.1μF
Edc=100V
T.C.=X8R
LxWxT:3.2x1.6x1.15mm
High Temp. (Up to 150ºC)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA6P3X8R1E475K250AB
Capacitance=4.7μF
Edc=25V
T.C.=X8R
LxWxT:3.2x2.5x2.5mm
High Temp. (Up to 150ºC)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA6P3X8R2A684K250AB
Capacitance=0.68μF
Edc=100V
T.C.=X8R
LxWxT:3.2x2.5x2.5mm
High Temp. (Up to 150ºC)
AEC-Q200