積層セラミックチップコンデンサ
CKG32KC0G3A102J335AH
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寸法
| 長さ(L) |
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| 幅(W) |
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| 厚み(T) |
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| 金属端子幅(E) |
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| 推奨ランドパターン(PA) |
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| 推奨ランドパターン(PB) |
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| 推奨ランドパターン(PC) |
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電気的特性
| 静電容量 |
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| 定格電圧 |
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温度特性
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| Q (Min.) |
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| 絶縁抵抗 (Min.) |
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| 許容電圧 |
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| 許容電流 |
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その他
| 使用温度範囲 |
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| はんだ付け方法 |
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| AEC-Q200 |
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| 包装形態 |
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| 梱包数 |
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| FIT (Failure In Time) |
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製品情報
ドキュメント
3rd Party ECAD models
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積層セラミックチップコンデンサ
C3225C0G2J472G160AA
Capacitance=4.7nF
Edc=630V
T.C.=C0G
LxWxT:3.2x2.5x1.6mm
Mid Volt. (100 to 630V)
積層セラミックチップコンデンサ
C3225C0G3A102G200AC
Capacitance=1nF
Edc=1000V
T.C.=C0G
LxWxT:3.2x2.5x2mm
High Volt. (1000V and over)
積層セラミックチップコンデンサ
C3225C0G3A152J200AC
Capacitance=1.5nF
Edc=1000V
T.C.=C0G
LxWxT:3.2x2.5x2mm
High Volt. (1000V and over)
積層セラミックチップコンデンサ
C3225C0G3A472G200AE
Capacitance=4.7nF
Edc=1000V
T.C.=C0G
LxWxT:3.2x2.5x2mm
Soft termination
積層セラミックチップコンデンサ
C4532C0G2J103J160KA
Capacitance=10nF
Edc=630V
T.C.=C0G
LxWxT:4.5x3.2x1.6mm
Mid Volt. (100 to 630V)
積層セラミックチップコンデンサ
C5750C0G3A103G280KC
Capacitance=10nF
Edc=1000V
T.C.=C0G
LxWxT:5.7x5x2.8mm
High Volt. (1000V and over)
積層セラミックチップコンデンサ
C5750C0G3A103J280KC
Capacitance=10nF
Edc=1000V
T.C.=C0G
LxWxT:5.7x5x2.8mm
High Volt. (1000V and over)
積層セラミックチップコンデンサ
CGA9Q1C0G3A103J280KC
Capacitance=10nF
Edc=1000V
T.C.=C0G
LxWxT:5.7x5x2.8mm
High Volt. (1000V and over)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGBDT1X7T0E105M022BC
Capacitance=1μF
Edc=2.5V
T.C.=X7T
LxWxT:0.52x1xmm
Low ESL reverse geometry
積層セラミックチップコンデンサ
CKG32KC0G3A102J335AJ
Capacitance=1nF
Edc=1000V
T.C.=C0G
LxWxT:3.6x2.6x3.35mm
MEGACAP type
AEC-Q200
