リード付き積層バリスタ(高容量タイプ)
B72527G3200K000
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量産体制
寸法
| 幅(w) |
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| 高さ(h) |
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| 厚み(s) |
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| リード間隔 |
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| その他詳細 |
電気的特性
| 最大許容回路電圧 [DC] |
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| 最大許容回路電圧 [AC] |
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| バリスタ電圧 (Nom.) at 1mA |
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| 静電容量 |
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| 最大クランプ電圧 [8/20μs] |
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| 最大サージ電流 [8/20μs] |
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| エネルギー耐量 |
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| その他詳細 |
その他
| 使用温度範囲 |
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| はんだ付け方法 | |
| 梱包情報 |
ドキュメント
データシート 
一般技術情報 
材料データシート 技術支援ツール
3rd Party ECAD models
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SnapMagic
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C1608X7R2A105K080AC
積層セラミックチップコンデンサ
Capacitance=1μF
Edc=100V
T.C.=X7RLxWxT:1.6x0.8x0.8mm
Mid Volt. (100 to 630V) -
CGA5H4X7R2J103M115AA
積層セラミックチップコンデンサ
Capacitance=10nF
Edc=630V
T.C.=X7RLxWxT:3.2x1.6x1.15mm
Mid Volt. (100 to 630V)
AEC-Q200 -
CGA5L2X7R1E155K160AA
積層セラミックチップコンデンサ
Capacitance=1.5μF
Edc=25V
T.C.=X7RLxWxT:3.2x1.6x1.6mm
General
AEC-Q200 -
FA24X7R2A104KNU06
積層型リード付きコンデンサ
Capacitance=0.1μF
Edc=100V
T.C.=X7RLxWxT:4.5x5.5x3mm, Lead pitch:5mm
AEC-Q200
General -
B32032A4472M000
EMI抑制コンデンサ
0.0047uF, 350Vrms AC
5m(W) x 10.5m(H) x 18m(L)
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B32926C3825M003
EMI抑制コンデンサ
8.2uF, 305Vrms AC
20m(W) x 39.5m(H) x 42m(L)
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AVR-M2012C390KT6AB
チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
Maximum continuous voltage [DC]=28V
Maximum Clamping Voltage (8/20uS)=62V
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B72500E8140S160 (Automotive)
チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
Maximum continuous voltage=16V
Maximum Clamping Voltage (8/20μs)=66V
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B72510E1250K062
チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
Maximum continuous voltage=31V
Maximum Clamping Voltage (8/20μs)=67V
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B72520E1140S262
チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
Maximum continuous voltage=16V
Maximum Clamping Voltage (8/20μs)=40V
