チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
B72540E3140S272
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寸法
| L x W 寸法 |
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| 厚み | 高さ |
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| その他詳細 |
電気的特性
| バリスタ電圧 (Nom.) @ 1mA |
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| 最大許容回路電圧 [DC] |
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| 最大許容回路電圧 [AC] |
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静電容量 (Typ.)
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| 最大クランプ電圧 [8/20μs] |
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| 最大サージ電流 [8/20μs] |
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ESDクランプ電圧 [2kV]
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ESDクランプ電圧 [8kV]
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| エネルギー耐量 |
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その他
| 使用温度範囲 |
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| はんだ付け方法 | |
| AEC-Q200 |
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| 包装形態 |
製品情報
ドキュメント
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一般技術情報
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安全上の注意
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品質と環境
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記号と用語
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設計関連事項
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テーピングと梱包
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材料データシート
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セレクションガイド
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[セレクションガイド] ESD保護デバイス セレクションガイド(車載グレード)Update
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セレクション手順
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アプリケーションノート
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3rd Party ECAD models
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特性グラフ
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積層型リード付きコンデンサ
FG22X7R2E474KNT06
Capacitance=0.47μF
Edc=250V
T.C.=X7R
LxWxT:7.5x8.5x4.5mm, Lead pitch:5mm
General
EMI抑制コンデンサ
B32924M3335K000
3.3uF, 305Vrms AC
15.0m(W) x 24.5m(H) x 31.5m(L)
EMI抑制コンデンサ
B32924M3475M000
4.7uF, 305Vrms AC
18.0m(W) x 27.5m(H) x 31.5m(L)
スナバ, 共振回路及び力率改善(PFC)用コンデンサ
B32656A8474K000
0.47uF, 850V DC
12mm(W) x 22mm(H) x 42mm(L)
インダクタ(コイル)
HPL505028F060MRD3P
L=60nH
Rated current=34.0A
L x W x T :
5.0 x 5.0 x 2.8mm
インダクタ(コイル)
MLG0603P3N6BT000
L=3.6nH
Q=14
L x W x T :
0.6 x 0.3 x 0.3mm
インダクタ(コイル)
MLG1005SR39JTD25
L=390nH
Q=6
L x W x T :
1 x 0.5 x 0.5mm
チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
B72510E1140S262
Maximum continuous voltage=16V
Maximum Clamping Voltage (8/20μs)=42V
チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
B72510G1140S862
Maximum continuous voltage=16V
Maximum Clamping Voltage (8/20μs)=42V
チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
B72520E1140S262
Maximum continuous voltage=16V
Maximum Clamping Voltage (8/20μs)=40V
