BMS用トランス
VMT45DR-X02S1P4
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寸法
| 長さ(L) |
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| 幅(W) |
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| 厚み(T) |
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電気的特性
| 巻数比 |
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| 結合 |
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| インダクタンス |
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| 漏れインダクタンス [Max.] |
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| 耐電圧 [1次-2次] |
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| 耐電圧 [コイル-コア] |
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その他
| 使用温度範囲 |
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| AEC-Q200 |
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| 包装形態 |
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| 梱包数 |
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| 重量 |
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特性グラフ (参考データであり、製品の特性を保証するものではありません。)
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積層セラミックチップコンデンサ
CGA5L1X7R1E685M160AC
Capacitance=6.8μF
Edc=25V
T.C.=X7R
LxWxT:3.2x1.6x1.6mm
General
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA6P3X7R1E685K250AB
Capacitance=6.8μF
Edc=25V
T.C.=X7R
LxWxT:3.2x2.5x2.5mm
General
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA9N3X7R1E476M230KB
Capacitance=47μF
Edc=25V
T.C.=X7R
LxWxT:5.7x5x2.3mm
General
AEC-Q200
チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
B72530T0350K062 (Standard)
Maximum continuous voltage=45V
Maximum Clamping Voltage (8/20μs)=90V
電流検出トランス
VST16/8EE-200S1C2
Sensed Current=40A max
TR=1:100
電流検出トランス
VST16/8EE-201S1C2
Sensed Current=40A max
TR=1:200
IGBT/FET用トランス
VGT12EEM-200S1A4
Flyback transformer (Distributed), 1 output
10μH, TR=1:1.6:2.9
BMS用トランス
VGT10/9EE-204S2P4
Tightly Coupled
140 to 333μH, TR=1:1:1:1
BMS用トランス
VGT10/9EE-X01S1P4
Tightly Coupled
140 to 333μH, TR=1:1:1:1
BMS用トランス
VGT10/9EE-X03S2P4
Loosely Coupled
350 to 895μH, TR=1:1:1:1
