BMS用トランス
VGT10/9EE-204S2P4
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寸法
| 長さ(L) |
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| 幅(W) |
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| 厚み(T) |
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電気的特性
| 巻数比 |
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| 結合 |
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| インダクタンス |
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| 漏れインダクタンス [Max.] |
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| 耐電圧 [1次-2次] |
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| 耐電圧 [コイル-コア] |
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その他
| 使用温度範囲 |
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| AEC-Q200 |
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| 包装形態 |
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| 梱包数 |
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| 重量 |
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製品情報
特性グラフ (参考データであり、製品の特性を保証するものではありません。)
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積層セラミックチップコンデンサ
CGA6M1C0G3A182J200AC
Capacitance=1.8nF
Edc=1000V
T.C.=C0G
LxWxT:3.2x2.5x2mm
High Volt. (1000V and over)
AEC-Q200
ノイズサプレッションフィルタ
MAF1005GAD571DT000
|Z|=570Ω at 900MHz
Rated current=0.9A
L x W x T :
1.0mmx0.5mmx0.5mm
チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
B72530U1500K062
Maximum continuous voltage=65V
Maximum Clamping Voltage (@ 2.5 A)=135V
IGBT/FET用トランス
VGT10SEE-200S2A5
Flyback transformer (Distributed), 2 outputs
20μH, TR=1:1:1:1
IGBT/FET用トランス
VGT12EEM-200S1A4
Flyback transformer (Distributed), 1 output
10μH, TR=1:1.6:2.9
IGBT/FET用トランス
VGT15SEFD-200S1A4
Flyback transformer (Distributed), 1 output
10μH, TR=1:1.8:3.3
IGBT/FET用トランス
VGT15SEFD-250S4A7
Flyback transformer (Centralized), 4 outputs
2.6μH, TR=1:3:3:3:3:3
IGBT/FET用トランス
VGT22EPC-200S6A12
Flyback transformer (Centralized), 6 outputs
2.5μH, TR=1:1.2:0.7:1.2:0.7:1.2:0.7:1.2:0.7
BMS用トランス
VGT10/9EE-X01S1P4
Tightly Coupled
140 to 333μH, TR=1:1:1:1
BMS用トランス
VGT10/9EE-X03S2P4
Loosely Coupled
350 to 895μH, TR=1:1:1:1
